Cтраница 2
Опыты полевые с удобрениями. [16]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шотки и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах приемных, устройств в составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные на кристалле-держателе с гибкими полосковыми выводами. На крышку кристаллодержателя наносится условная маркировка цветной точкой: АП320А - 2 - красной, АП320Б - 2 - зеленой. Тип прибора указывается в этикетке. [17]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шотки и каналом n - типа усилительные. [18]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые пленарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n - типа усилительные. Предназначены для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов. Бескорпусные на кристаллодержатеяе с гибкими выводами. [19]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с двумя затворами в виде барьера Шотки с каналом n - типа. Предназначены для применения в усилителях с автоматической регулировкой усиления, в смесителях, фазовращателях, в усилителях с высоким уровнем усиления в составе гибридных интегральных микросхем. Транзистор ЗП351А - 2 бескорпусной в металлокерамическом держателе с гибкими выводами. [20]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n - типа усилительные. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. На крышку кристаллодержателя наносится условная маркировка цветными точками: А818А - красная, А818Б - желтая, А818В - зеленая, А818Г - белая, А818Д - черная. Тип прибора указывается в этикетке. [21]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n - типа генераторные. [22]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом о-типа геяераторные. Бескорцусные на металлокерамическом кристалле-держателе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. [23]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом п-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях на частотах до 12 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. [24]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиалъно-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом п-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. [25]
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые пленарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом п-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты до 12 ГГц. Выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. [26]
Транзисторы полевые кремниевые планарные с изолированным затвором и каналом л-типа. [27]
Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором на основе / 7-и-перехода и каналом п-типа. [28]
Цистерны полевые аммиачные ЦПА-30, СПА-50 предназначены для приема жидкого аммиака из сосудов машин аммиачного комплекса, хранения его запаса, наполнения сосудов тракторных заправщиков и сосудов агрегатов внесения жидкого аммиака в почву. [29]
Как полевые, так и пленарные транзисторы подходят для массового производства, их электрические свойства и технология изготовления позволяют объединять эти компоненты в схемы. К преимуществам полевых транзисторов относится то, что они управляются путем изменения напряжения, а не тока. Это обещает прибору и схемам на его основе большое будущее. [30]