Cтраница 3
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде об-ратносмещенного р - n перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и смесителях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [31]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе р - n перехода каналом и-типа сдвоенные. [32]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе р - n перехода каналом п-типа сдвоенные. [33]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором в виде об-ратносмещенного р - n перехода и каналом n - типа усилительные. Предназначены, для применения в усилителях высокой частоты герметизированной аппаратуры. Выпускаются в керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. [34]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом р-типа переключательные. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, переключающих и импульсных устройствах, ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, усилителях и генераторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [35]
Транзисторы кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и каналом п-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах на частотах до 2 25 ГГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в металлоке-рамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. [36]
Транзисторы арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором в виде барьера Шотки и каналом n - типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот до 8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. [37]
Транзисторы арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые с барьером Шотки и каналом n - типа усилительные. [38]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе р - n перехода каналом и-типа сдвоенные. [39]
Линии полевые пленочной изоляции - ЛПП 322 и ЛПП 323 - обеспечивают высокое качество очистки поверхности изолируемых труб и нанесение на эту поверхность защитных покрытий в базовых или заводских условиях при строительстве подземных трубопроводов. Изоляционное покрытие наносится на трубу путем намотки по спирали с затребованным нахлестом смежных витков. [40]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-ле-гированные полевые с затвором на основе р-и-перехода и каналом и-типа сдвоенные. [41]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-леги-рованные полевые с затвором на основе / - л-перехода и каналом л-типа сдвоенные и одинарные. [42]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-ле-гированные полевые с затвором на основе р-я-перехода и каналом и-типа сдвоенные. [43]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-леги-рованные полевые с затвором на основе p - n - перехода и каналом и-типа сдвоенные и одинарные. [44]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-ле-гированные полевые с затвором на основе / р-л-перехода и каналом / г-типа сдвоенные. [45]