Cтраница 3
Карбид кремния известен в виде двух модификаций: p - SiC ( типа алмаза, 0435 96 пм) и a - SiC ( гекс. Для Р - SiC п означает число слоев атомов в гексагональной ( и тригональной) ЭЯ. Монотропный р4 - юс-переход происходит при температурах выше 2000 - 2100 С и, возможно, через газовую фазу. Вследствие вероятности различной повторяемости слоев из атомов Si и С в гексагональном SiC [37, 43] проявляется редкая и исключительно богато выраженная политипия. [31]
А 1 и В 1, например Ga S, поскольку при 5р3 - гибридизации з - электроны галлия образуют общую гибридизированную орбиту с р-электронами серы, отдающей в связь один электрон. Отрицательный заряд металла и положительный заряд неметалла снижаются вследствие ионности связи в этих соединениях. Связь между слоями в этих соединениях будет типа связи Ван-дер - Ваальса, что выражается в чрезвычайно высокой способности к расщеплению слоев этих соединений на пластинки любой толщины с идеально гладкой поверхностью. Детальное изучение структуры соединений GaSe, GaTe и InSe показало, что в упаковке слоев имеются ошибки с нарушениями последовательности в чередовании атомов в слое, что ведет к появлению, например, политипии и трех модификаций у GaSe. Вместе с тем различные геометрические размеры атомов соединений и их энергетические характеристики обусловливают различное пространственное их расположение без изменения связей между атомами. Так, GaTe имеет две модификации, одна из них - более устойчивая - имеет моноклинную ячейку, схема которой изображена на рис. 22 ( стр. [32]
Помимо расширения линий дефекты упаковки приводят к уменьшению интенсивностей линий, подвергающихся уширению. Это особенно отчетливо проявляется у линий 100 и 101 в случае гексагональной плотнейшей упаковки и 102 ( в кубической ячейке - 002) в случае кубической плотнейшей упаковки. Дефекты упаковки вызывают не только расширение линий, но и их смещение. Иногда появляется и асимметрия профиля дифракционной линии. Это тоже легко понять по аналогии с политипией: центр тяжести группы линий, появляющихся на месте одиночной линии при идеальном чередовании слоев, может не совпадать с положением этой линии. Понятно и возникновение асимметрии. Дефекты упаковки могут наблюдаться не только у фаз, построенных по принципу плотнейшей упаковки, но и у других веществ. Помимо специфических условий роста дефекты упаковки появляются, например, при механической обработке металлов. Напиливание и дробление в ступке приводит к появлению дефектов упаковки. В случае неметаллических объектов появление дефектов упаковки может быть вызвано сухим растиранием. [33]
Помимо расширения линий дефекты упаковки приводят к уменьшению интенсивности линий, подвергающихся уширению. Это особенно отчетливо проявляется у линий 100 и 101 в случае гексагональной плотнейшей упаковки и 102 ( в кубической ячейке - 002) - в случае кубической плотнейшей упаковки. Дефекты упаковки вызывают не только расширение линий, но и их смещение. Иногда появляется и асимметрия профиля дифракционной линии. Это тоже легко понять по аналогии с политипией: центр тяжести группы линий, появляющихся на месте одиночной линии при идеальном чередовании слоев, может не совпадать с положением этой линии. Понятно и возникновение асимметрии. Дефекты упаковки могут наблюдаться не только у фаз, построенных по принципу плотнейшей упаковки, но и у других веществ. Помимо специфических условий роста дефекты упаковки появляются, например, при механической обработке металлов. Напили-вание и дробление в ступке приводит к появлению дефектов упаковки. В случае неметаллических объектов появление дефектов упаковки может быть вызвано сухим растиранием. [34]
При более строгом анализе интенсивностей можно было ожидать детализации тех общих структурных особенностей, которые выражаются приведенными символическими записями структур. Фактически это было сделано лишь в последние годы, очевидно, из-за трудности подбора образцов с достаточно совершенной структурой, встречающихся значительно реже, чем у слюд. В частности, длительное время казалось, что тальки, будучи триоктаэдрическими, имеют малую вероятность формирования упорядоченной структуры. Эти уточнения осуществлялись примерно тго одинаковой схеме: сначала определялись ячейки ( в обоих случаях триклинные) с выбором углов а, ря / 2, затем дифракционно оценивались модели из слоев разного строения и разной ориентировки, расположенных в соответствии с указанной ячейкой. Вследствие этого найденная последовательность слоев 04Т2Оч была получена независимо от предсказаний теории политипии, но оказалась в полном согласии с ними. [35]