Cтраница 1
Половина атомов, по-видимому, образует октаэдрическое, а половина - тригонально-призматическое окружение. [1]
Половина атомов А1 замещает здесь атомы Si в лентах, а другая половина располагается между лентами. [2]
Половина атомов Zn образует связи с тремя атомами Р и одним атомом Zn. Вторая половина образует связи с четырьмя атомами фосфора. [3]
![]() |
Моноклинная структура CdP4. [4] |
Половина атомов цинка образует связи, в которых каждый атом цинка связан с тремя атомами фосфора и одним атомом цинка. Вторая половина образует связи, где каждый атом цинка связан с четырьмя атомами фосфора. [5]
![]() |
Строение различных силикат-ионов. [6] |
Если половина атомов кремния в цепи связана еще и с третьими атомами кислорода, образуется ленточная ( двойная) цепь. [7]
![]() |
Схема обработки материалов световым лучом. [8] |
Когда больше половины атомов приходит в возбужденное состояние, то равновесие становится неустойчивым и вся запасенная в кристалле энергия одновременно освобождается и кристалл испускает ослепительно яркий красный свет. [9]
При этом половина атомов 10В будет выгорать примерно за 10 лет. [11]
Для распада половины взятых атомов радия необходимо 2 000 лет. Следовательно за несколько дней распад радия ничтожен, и число атомов эманации, ежедневно образующейся из определенного количества радия, может считаться постоянным. [12]
Нет, потому что лишь половина атомов движется к поршню. [13]
В действительности, однако, половина атомов Мо характеризуется здесь координацией 4 1 1, но пятая и шестая связи Мо-О настолько слабее четырех основных, что тетраэдр выражен значительно резче, чем в других структурах с пяти - или шестивершинными полиэдрами Мо и W. [14]
А), в к-рой половина атомов углерода замещена атомами кремния, и гексагональную ( a - SiC) со структурой слоистого типа. При т-ре выше 2000 С кубическая модификация монотропно переходит в гексагональную, для к-рой характерно проявление политипизма. [15]