Положение - край - поглощение
Cтраница 1
Положение края поглощения также характеристично для каждого элемента. Поэтому двух измерений интенсивности прошедшего излучения при длинах волн, ограничивающих край поглощения, оказывается достаточно для идентификации элемента в РАА. [1]
Влияние химической связи на положение края поглощения фосфора в соединениях изучали последовательно Бергенгрен, Линд и Штеллинг. [2]
В соединениях со сходной структурой положение края поглощения фосфора остается строго постоянным. Четко обнаруживается зависимость от типа аллотропической модификации фосфора. Так, переход от белого фосфора к черному илп красному сопровождается изменением длины волны края поглощения на 5 5 X. Положение края существенно зависит от индивидуальных особенностей атомов, непосредственно связанных с фосфором в молекуле. При замене в ряду соединений типа ( RO) g РО или ( R0) 3 P кислорода в группе RO последовательно на N, Н, С и С1 обнаруживается постепенное смещение края поглощения фосфора в длинноволновую сторону. При этом природа входящего в молекулу радикала ( R), связанного с фосфором посредством этих атомов, влияет на положение края незначительно. [3]
До сих пор не существует строгой теории, позволяющее точно предвычислить положение края поглощения атомов в молекулах газон, не говоря уже о твердом теле, несмотря на то, что этим занимались многие исследователи. [4]
Поглощение в этой области приписывалось электронным переходам слабосвязанных поверхностных ионов [51], и хотя имеются некоторые доказательства того, что положение края поглощения зависит от структуры исследуемого кристалла или сублимата [52], окончательных выводов еще нельзя сделать. Физические изменения, сопровождающие поглощение энергии кристаллами галогенидов серебра, будут рассмотрены ниже. [5]
 |
Пропускание кристаллов сульфида кадмия ( а и аморфного селена ( б.| Коэффициент поглощения селенида кадмия для обыкновенного ( J и необыкновенного ( 2 лучей. [6] |
Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей А, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [7]
Атомный номер фосфора меньше, чем у серы и хлора. Поэтому зависимость положения края поглощения элемента от количества и химической природы групп, непосредственно связанных с ним в молекуле, проявляется особенно четко. [8]
 |
Энергия экситонного перехода ( в эВ в политипах карбида кремния при Т 4 2 К. [9] |
Измерения поглощения были выполнены на довольно большом числе политипов SiC, и во всех случаях было обнаружено, что край поглощения связан с непрямыми переходами. Во всех одноосных модификациях положения краев поглощения для света, поляризованного параллельно или перпендикулярно оси симметрии, слегка различаются. [10]
 |
Спектральное пропускание кристаллов сульфида кадмия.| Спектральное пропускание аморфного селена толщиной 2 06 ( 1 и 5 62 мм ( г.| Коэффициент поглощения. [11] |
Для оптических свойств полупроводников наиболее типично существование резкого края поглощения KQ. Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей Я0, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [12]
Вследствие недостаточ-источники дают значения коэффициентов, отличающиеся друг от друга в два бенно в области больших длин волн. Достигнутые в настоящее время успехи просто и надежно. Линии в таблице отмечают положение краев поглощения. [13]
Положение этого пика почти линейно зависит от постоянной решетки ( рис. 5), несмотря на смену структуры. Изменение энергии этого пика почти в точности соответствует изменению положения края поглощения Eg. Наклон прямой, характеризующий это изменение, отличается от наклонов прямых, соответствующих другим пикам. Это позволяет заключить, что А должен быть связан с переходами в точках того же типа, которые образуют край поглощения, или в близких точках. Заметим здесь, что полоса поглощения, наблюдавшаяся в тонких слоях Sb2S3 [12] при высоких значениях коэффициента поглощения ( около 3 104 см-1) с. [14]
Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей А, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [15]
Страницы: 1 2