Положение - край - поглощение
Cтраница 2
Температура, определяемая с помощью зондирующего светового пучка, характеризует область, размеры которой в плоскости образца обычно совпадают с размерами светового пятна, а размер в глубину близок к толщине ( / г) слоя, в котором формируется сигнал. Для некоторых методов ( например, основанных на измерении коэффициента отражения или параметров поляризации света) значение h совпадает с глубиной 8 проникновения света в материал. В ряде методов ( например, интерферометрическом, а также по положению края поглощения света в кристалле) определяется температура, усредненная по толщине прозрачного или полупрозрачного образца, имеющего форму плоскопараллельной пластины. [16]
 |
Спектральное пропускание кристаллов сульфида кадмия.| Спектральное пропускание аморфного селена толщиной 2 06 ( 1 и 5 62 мм ( г.| Коэффициент поглощения. [17] |
Для оптических свойств полупроводников наиболее типично существование резкого края поглощения KQ. Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей Я0, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [18]
Обращает на себя внимание тот факт, что длина волны истинного края поглощения Gl ( XJ, так же как и длина волны, соответствующая максимуму селективной линии ( Х2), заметно изменяется у атомов хлора, находящихся в молекулах в различном валентном состоянии. Наоборот, в соединениях, сходных по строению, в которых валентность атомов хлора не изменяется, наблюдаются лишь небольшие колебания величин X вокруг некоторых средних значений, характерных для данной группы веществ. Об этом же говорят также данные, полученные учеником Линда, Штеллингом, в исследовании, которое было проведено с целью уточнить и расширить результаты, полученные первым автором. Приведенные в ней числа систематически на 1 - 2 eV превышают значения длин волн, полученные Линдом, и позволяют достаточно четко выявить связь между появлением абсорбционной линии и вхождением в молекулу кристаллизационной; воды. Положение истинного края поглощения ( Хг) не зависит от присутствия воды в молекуле соединения. [19]
Положение этого пика почти линейно зависит от постоянной решетки ( рис. 5), несмотря на смену структуры. Изменение энергии этого пика почти в точности соответствует изменению положения края поглощения Eg. Наклон прямой, характеризующий это изменение, отличается от наклонов прямых, соответствующих другим пикам. Это позволяет заключить, что А должен быть связан с переходами в точках того же типа, которые образуют край поглощения, или в близких точках. Заметим здесь, что полоса поглощения, наблюдавшаяся в тонких слоях Sb2S3 [12] при высоких значениях коэффициента поглощения ( около 3 104 см-1) с. Температурные смещения положения края поглощения и пика А также близки. [20]
Страницы: 1 2