Положение - минимум
Cтраница 2
Положение минимума на упомянутых кривых соответствует изоэлектрическому состоянию ( см. стр. [16]
 |
Образование петель дислокаций по Франку и Риду. [17] |
Положения минимумов и максимумов освещенности муаровых полос однозначно связаны с деформациями растра. Поэтому нахождение на муаровой картине точек с одинаковой освещенностью и измерение расстояний между ними позволяет определить поле перемещений, а затем вычислить деформации и перемещения. Для повышения точности и надежности измерений приходится применять растры с частотой 1200 линий на 1 мм. Такой вариант носит название метода голографического муара. На рис. 85 показана интерференционная картина, по которой производится определение деформаций. [18]
 |
Зависимость изменения поверхностей удельной электрической проводимости полупроводника от внешней разности потенциалов. [19] |
Положение минимума этой кривой зависит от рода примеси и степени легирования полупроводника. Чем больше его исходная проводимость, тем выше должна быть внешняя разность потенциалов, при которой возникает инверсный слой. [20]
Положение минимума смещается в область меньших концентраций NaCl с понижением концентрации ОП-10. Этот эффект, по-видимому, обусловлен изменением структурно-механических свойств пены. [21]
Положение минимума в кольцевой линии автоматически фиксируется компенсационным методом. Выходной сигнал поступает на вход усилителя, управляющего электродвигателем автоматического следящего устройства прибора. [22]
Положение минимума во всех растворителях не меняется и приходится на 45 2 ат. [23]
Положение минимумов определим через угол дифракции. [24]
Положение минимума на температурной шкале, видимо, является функцией чистоты образца и сдвигается в область более низких температур при повышении чистоты образца. Зависимость Гмин, от отношения электросопротивлений R ин. [25]
Положение минимумов и максимумов зависит от длины волны. Авторы неоднократно убеждались, что у подножья гор изменение рабочей частоты на 100 кГц в диапазоне длил волн 2 м было достаточным, чтобы получить увеличение напряженности поля на 10 дБ, либо привести к почти полному его исчезновению. [26]
Положение минимума на кривой растворимости зависит от величины молярного объема вещества в конденсированной фазе. При больших его величинах минимум растворимости приходится на относительно невысокие давления. При малых молярных объемах растворимых веществ минимум обнаруживается при гораздо более высоких давлениях. [27]
 |
Потенциальная кривая двухатомной молекулы. [28] |
Положение минимума на кривой ( г0) определяет длину связи между атомами в молекуле. Расстояние / от минимума кривой до оси абсцисс, к которой кривая асимптотически приближается в правой части, соответствует работе, необходимой для разрыва связи между атомами ( или ионами) и переносу их в бесконечность. Так как работа при этом должна быть затрачена, то при таком способе отсчета потенциальная энергия молекулы отрицательна. Такая работа D представляет собой энергию диссоциации, или просто энергию связи. [29]
Положение минимума при разгрузке сдвигается незначительно, однако остаточный эффект говорит о накоплении в арилатном домене приблизительно 10 % деформаций. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5