Cтраница 4
Пусть положения минимума зоны проводимости с и максимума валентной зоны Sv совпадают. [46]
По положению минимумов мы может теперь определить химический потенциал электронов. [47]
С, положение минимума смещается в область низких т-р тем больше, чем совершеннее кристаллич. [48]
![]() |
Конформационная карта н-пентана. [49] |
Крестиками отмечены положения минимумов. [50]
![]() |
Конформационная карта полиизобутилена, полученная минимизацией энергии по валентным углам главной цепи. [51] |
Звездочкой отмечено положение минимума, удовлетворяющего наблюдаемому распределению интенсивности рентгенограмм; треугольни - каыи показаны точки, соответствующие предлагавшимся ранее моделям. [52]
![]() |
Аппроксимация статической характеристики. [53] |
Очевидно, положение минимума / не изменится, если все веса уменьшить или увеличить в одно и то же число раз. [54]
![]() |
Изотермические сечения диаграммы состояния.| Изотермические сечения диаграммы состояния а - 900. б - 850. [55] |
Отличием является положение минимума на кривой солидуса ( 1600 и 25 - 28 вес. [56]
Значение и положение минимума можно объяснить тем, что с увеличением углеводородного радикала упорядочивающее действие молекул спиртов растет. [57]
Пунктиром помечено положение минимумов кривых, отвечающих моменту перехода от затухания возмущения к его росту. [58]
![]() |
Типичная зависимость вая намагничивания имеет изгиб нелинейных искажений от под - начального участка. В ближних ча-магничивания. стях слоя подмагничивание доста. [59] |
Глубина и положение минимума зависят от длины волны и уровня записи. Чем больше уровень записи и длина волны, тем более глубок минимум. При большой длине волны увеличение уровня записи и уменьшение ширины рабочего зазора записывающей головки смещают минимум в область меньших значений подмагничивания. [60]