Cтраница 1
Положение уровня наблюдается в месте резкого скачка в измерении давления по глубине между нефтяной и газовой частями ствола скважины вследствие значительного различия в удельных весах между нефтью и газом. [1]
Положение уровня в переднем барабане должно обеспечить не только достаточно большую высоту парового объема, но и достаточную высоту уровня над верхним рядом водопереиускиых труб для предотвращения вскипания при входе в них. [2]
Положение уровня вода / нефть рассчитывается исходя из предположения, что наиболее мелкие капли воды достигнут этого уровня и не будут унесены. [3]
Положение уровня в переднем барабане должно обеспечить не только достаточна большую высоту парового объема, но и достаточную высоту уровня над верхним рядом водоперепускных труб для предотвращения вскипания при входе в них. [4]
![]() |
Поплавковые указатели уровня масла. [5] |
Положение уровня определяется поплавком /, плавающим на поверхности масла и механически связанным штоком 2 с указательной стрелкой или буйком 5, расположенными снаружи аппарата. [6]
Положение уровня Ферми на поверхности полупроводника соответствует энергии еф. [7]
Положение уровня Ферми влияет на вероятность пребывания частиц в состоянии слабой или прочной связи с поверхностью, а также на обратимость или необратимость процесса адсорбции. [8]
![]() |
Вид функции Ферми.| Уровень Ферми WF, функция Ферми f ( W и распределение равновесных носителей в чистом полупроводнике. [9] |
Положение уровня Ферми в примесных полупроводниках зависит как от концентрации примеси, так и от того, является ли примесь донорной или акцепторной. В случае донорной примеси ( - полупроводник) имеет место переход электронов донорных атомов в зону проводимости; при этом концентрация электронов возрастает, что приводит к возрастанию энергии Ферми WF и смещению уровня Ферми вверх, к зоне проводимости. Чем больше концентрация доноров, тем большее количество электронов переходит в зону проводимости и тем на большую величину смещается уровень Ферми. [10]
Положение уровня Ферми в объеме ( Фь) и на поверхности ( Ф5) различно. На диаграмме энергетических уровней это отображено изгибом зон у поверхности полупроводника. Величина изгиба зон и, следовательно, различие между Ф ь и Ф зависит от плотности поверхностных состояний. [11]
Положение уровня Ферми ( pf соответствует случаю, когда к транзистору не подключено внешнее напряжение. [12]
Положение уровня Ферми в энергетическом спектре кристалла удобно характеризовать расстоянием от этого уровня до потолка валентной зоны, которое мы обозначаем через F. [13]
Положение уровня Ферми однозначно определяет активность катализатора по отношению к данной реакции лишь в том случае, если энергетический спектр поверхности задан и остается неизменным. При сравнении же двух катализаторов, различных по своей природе, уровень Ферми перестает служить характеристикой активности. [14]
Положение уровня Ферми на поверхности может отличаться от положения в объеме твердого тела вследствие изгиба энергетических зон на поверхности, обусловленного избытком: или недостатком заряда. Это бывает, например, при внедрении примесей только в поверхностный слой или при хемосорбции. В плаче изменения поверхностного энергетического состояния хемосорбирозанные частицы принципиально не отличаются от структурных дефектов. Отличие их соо-тоит в том, что при определенных условиях хеыосорбированные частицы могут обмениваться с газовой фазой. [15]