Положение - уровень
Cтраница 2
Положение уровня Ферми на поверхности может отличаться от положения в объеме твердого тела вследствие изгиба энергетических зон на поверхности, обусловленного избытком - или недостатком заряда. Это бывает, например, при внедрении примесей только в поверхностный слой или при хемосорбции. В плаче изменения поверхностного энергетического состояния хемосорбйрозанные частицы принципиально не отличаются от структурных дефектов. Отличие их состоит в том, что при определенных условиях хеыооорбированные частицы могут обмениваться с газовой фазой. [16]
Положение уровня Ферми меняется в зависимости от концентрации свободных носителей. [17]
Положение уровня Ферми изменяется при изменении температуры и концентрации примесей. [18]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [19] |
Положение уровня Ферми на диаграмме заштриховано снизу для выделения того уровня энергии электронов в разных материалах, который находится в одинаковых энергетических условиях при термодинамическом равновесии тел. [20]
Положение уровня Ферми в примесном полупроводнике может быть рассчитано на основании условия электрической нейтральности. В случае дырочного полупроводника это означает, что количество дырок должно равняться количеству электронов в зоне проводимости плюс количество электронов, захваченных акцепторами. Количество электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне определяется в соответствии с распределением Ферми. Несколько сложнее обстоит дело с определением количества электронов, находящихся на примесных уровнях. [21]
Положение уровня Ферми в однородном кристалле определяется из условия нейтральности. Дело в том, что в состоянии равновесия химический потенциал всех частей системы должен быть одинаков. Это, в частности, означает, что для электронов и дырок и, одно и то же. В объеме полупроводника, где есть свободные электроны и дырки, не может скопиться объемный заряд, так как создаваемое им электрическое иоле будет перемещать электроны и дырки, пока этот заряд не исчезнет. [22]
Положение уровня Ферми зависит от температуры. [23]
 |
Схема энергетических уровней окиси цинка. [24] |
Положение уровня Ферми в полупроводнике существенно зависит от температуры и от концентрации примесей. [25]
 |
Зависимость концентрации свободных электронов от температуры в полупроводнике п-типа ( NдзNд2Nдl. [26] |
Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда в полупроводниках р-типа определяются так же, как и для полупроводников п-типа. [27]
 |
Графическая интерпретация предела обнаружения в единицах измерения аналитического сигнала ( ymln и концентрации ( Cm n. [28] |
Положение уровня выбраковки сигнала выбирается таким образом, чтобы вероятности ошибок I и II рода были достаточно малы. [29]
Положение уровня грунтовых вод в песчано-глинистых разрезах определяется по резкому нарастанию потока тепловых нейтронов. При этом, поскольку резким изменением содержания влажности характеризуется также и смена отдельных литологических типов грунтов ( например, переход от песков к суглинкам и глинам), по одной диаграмме влагосодержания нельзя однозначно определить положение уровня грунтовых вод. Однозначный ответ на этот вопрос можно получить лишь при наличии диаграмм влагосодержания и объемной массы. Появление уровня грунтовых вод на диаграмме ГГК в песках и супесчаных грунтах характеризуется резким увеличением объемной массы. [30]
Страницы: 1 2 3 4