Энергетическое положение
Cтраница 3
При десорбции с неоднородной поверхности молекулы находятся в резко различных энергетических положениях. Есть полная вероятность ожидать, что первые адсорбированные порции займут наиболее активные места поверхности и поэтому их десорбция будет происходить наиболее трудно. [31]
 |
Данные для соединений СгдВу, эв. [32] |
Как уже отмечалось выше, существенную роль в определении взаимного энергетического положения уровней играет взаимное отталкивание уровней и зон. Простейшие примеры такого отталкивания - это расщепление на полосы Vi и У 2 в С, Ge и Si вследствие взаимодействия С 2s - С 2s, Si 3s - Si 3s, Ge 4s - Ge 4s и довольно сложиый характер-молекулярных уровней молекул и кристаллов N2, O2 ( гл. As, Sb, Bi [407] Se Te [469] где нет переноса электронной плотности от одного атома к другому, однако пространственное ее распределение изменяется существенным образом по сравнению со свободными атомами за счет образования о - и л-связей и неподеленных пар. [33]
Если в полупроводнике имеется несколько типов ловушек, отличающихся энергетическим положением в запрещенной зоне и сечениями захвата, то, поскольку эти ловушки могут обмениваться электронами только с с - и f - зонами ( переходы между ловушками исключены, так как пространственно ловушки разделены), казалось бы, влияния ловушек разного типа на рекомбинационные процессы должны просто складываться. [34]
 |
Качественная картина изменения энергии связи электронов наиболее тяжелых элементов. [35] |
Что касается других [ переходных групп, то в них относительное энергетическое положение заполняемой оболочки становится ниже по мере последовательного добавления электронов. [36]
Реакционная способность УГМ зависит от степени дефектности, то есть энергетического положения атомов углерода на его поверхности. [37]
Так, наблюдаемое изменение в результате ТМО тонкой структуры и энергетического положения рентгеновских спектров поглощения железа ( табл. 3.5) свидетельствует об изменении электронной структуры ионов железа вследствие изменения их локального окружения. [38]
Химическое состояние атома, испускающего рентгеновское излучение, влияет как на энергетическое положение эмиссионных линий, так и на форму и интенсивность последних. Максимумы D и С соответствуют переходам с уровней а-связи S - Н и S-С. [39]
Рассмотрим фэрму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь - дальняя зона, а не примесь - ближняя зона. [40]
 |
Спектр фотолюмннисцен-ции CdS. /. - бесфононная линия связанного экситона. [41] |
Рассмотрим форму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь-дальняя зона, а не примесь-ближняя зона. [42]
Рассмотрим фэрму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь - дальняя зона, а не примесь - ближняя зона. [43]
 |
Зонная диаграмма полупроводника с ловушками захвата и рекомбинации. [44] |
Процесс рекомбинации определяется четырьмя параметрами: концентрацией рекомбинационных ловушек, их энергетическим положением в запрещенной зоне и двумя эффективными сечениями захвата для электронов и дырок. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5