Cтраница 5
На рис. 73 изображена зависимость скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ср для различных значений энергетического положения поверхностного рекомбинационного уровня. [61]
![]() |
Зависимость параметра кристаллической решетки ( и и химического сдвига ( б от количества ионов Сг3, введенных в матрицу феррита. [62] |
Анализ рентгеноспектральных данных ( табл. 1) показывает, что введение ионов хрома вызывает существенное изменение энергетического положения / ( - краев поглощения железа и никеля. [63]