Cтраница 3
Волновая механика проводит резкую грань между металлами и другими проводниками электричества. Металлы обладают незаполненной полосой энергетических уровней, в то время как во всех других материалах энергетические уровни валентных электронов отделены от полосы свободных уровней запрещенной зоной конечной ширины. Поэтому валентные электроны металла свободно проводят ток независимо от теплового движения, в том числе и вблизи абсолютного нуля температур. [31]
Волновая механика проводит резкую грань между металлами и другими проводниками электричества. Металлы обладают незаполненной полосой энергетических уровней, в то время как во всех других материалах энергетические уровни валентных электронов отделены от полосы свободных уровней, запрещенной зоной конечной ширины. Поэтому валентные электроны металла свободно проводят ток независимо от теплового движения, в том числе и вблизи абсолютного нуля температур. [32]
Поэтому химический потенциал тех и других невелик, и для электропроводности существенны только состояния, уровни энергии которых лежат возле перекрывающихся краев полос дозволенных уровней. Для таких состояний энергии при отсутствии поля квадратично зависит от волновых чисел. [33]
Поэтому для перевода электрона красителя в полосу проводимости требуется меньший квант энергии, чем для электрона, принадлежащего иону галогена. Полосы уровней электронов красителя и электронов галогенида серебра расположены так, что верхний уровень полосы галогенида несколько выше нижнего уровня электронов красителя. Поэтому возможен переход электронов от иона Вг - к красителю. [34]
Вследствие иной кристаллической структуры и иного характера химических связей физические свойства графита резко отличаются от свойств алмаза. Рентгеновские спектры графита показывают, что в нем перекрываются полосы валентных ( / - электронов с уровнями s - электронов. В распределении энергетических состояний полоса заполненных уровней не отделена четко от свободной полосы. [35]
Вследствие иной кристаллической структуры и иного характера химических связей физические свойства графита резко отличаются от свойств алмаза. Рентгеновские спектры графита показывают, что в нем перекрываются полосы валентных d - электронов с уровнями s - электронов. В распределении энергетических состояний полоса заполненных уровней не отделена четко от свободной полосы. [36]
На рис. 1 ( справа) схематически изображено, что должно произойти с уровнями энергии электронов в атомах, когда последние конденсируются в твердое тело. Вместо системы отдельных уровней, свойственных атомам, в твердом теле имеются целые полосы уровней. [37]
![]() |
Изменение показателя затухания а ( кривая / и величии высвечиваемых световых сумм X ( криьая 11 CaS-Bi - фосфора в зависимости от температуры. [38] |
Ход затухания свечения, как и для ZnS-фосфоров, зависит от интенсивности возбуждения. Как показали приведенные выше расчеты, все кривые затухания могут хорошо передаваться формулой ( 3 5), стр. Из различия хода кривых затухания при различных интснсивпостях возбуждения вытекает следствие, подтверждаемое и многими другими, описываемыми ниже фактами, что полоса уровней фосфоресценции достаточно широка и после возбуждения электроны размещаются на уровнях локализации, образуя некоторое распределение, зависящее от температуры и других условий опыта. [39]
В соответствии с этим дискретным рядом значений энергии электрон в атоме находится лишь на определенных расстояниях от ядра. Согласно принципу Паули на каждом энергетическом уровне может находиться лишь один электрон. При относительно близком расположении атомов в кристалле благодаря электрическому взаимодействию атомов происходит расщепление энергетических уровней: из каждого атомного уровня энергии получается полоса густо расположенных уровней. Число уровней в такой полосе равно числу атомов кристаллической решетки. Энергетические полосы, или, как их часто называют, зоны отделены одна от другой запрещенными зонами, соответствующими таким значениям энергии, которыми электрон не может обладать в кристаллической решетке. [40]
Их работами установлено существование ряда максимумов: при 630, 800, 2000 ммк, из которых максимум при 800 ммк в разных образцах имеет различную интенсивность по отношению к максимуму 630 ммк. Менх показал, что с понижением температуры спектр поглощения закиси меди смещается в сторону более коротких волн. Положение максимума Vm в кривой спектрального распределения фотоэффекта обычно связывают с полосой поглощения валентных электронов или с разностью энергии U между заполненной и первой свободной полосами уровней кристаллической решетки. [41]
Эти процессы не приводят к какому-либо возмущению уровней энергии молекул, проявляющемуся в спектрах. Наконец, мы подробнее рассмотрим, каким образом в чистых кристаллических твердых веществах повторение близкодействующих связей между соседними одинаковыми молекулами в регулярной кристаллической решетке вызывает расщепление одиночного уровня энергии изолированной молекулы в полосу уровней кристалла, объясняемое с привлечением представлений о делокализованных или экситонных состояниях кристалла. [42]
Каждая зона содержит столько состояний, сколько имеется элементарных ячеек в кристалле, и обладает обычно шириной порядка нескольких электроновотьт. В известном смысле здесь имеется тесное соответствие между отдельными зонами как одиночными элементами и атомными или молекулярными уровнями. Зоны можно рассматривать как результат размазывания атомных уровней при образовании твердого тела из атомов. Полосы уровней могут быть отделаны друг от друга, и в этом случае полный спектр уровней состоит ив квавинепрерьгоных областей, разделенных промежутками или полосами запрещенных уровней, как показано на рис. 7 - 7 в, где нижняя разрешенная зона энергии лишь частично заполнена и электроны могут занять имеющиеся там разрешенные состояния, лишь незначительно Отличающиеся по энергии от уже занятых уровней этой зоны. [43]
Однако вся совокупность возможных состояний электронов не ограничивается только заполненными полосами, получившимися в результате расщепления основного состояния атома. Полосы уровней возбужденных состояний и состояний ионизации сливаются в одну зону свободных состояний электронов. [44]
Совокупность возможных состояний электронов не ограничивается только заполненными полосами, получившимися в результате расщепления основного состояния атома. Полосы уровней возбужденных состояний я состояния ионизации сливаются в одну зону свободных состояний электронов. [45]