Энергетическая полоса

Cтраница 3

Если подгруппа О не имеет одномерных представлений Tfco, то каждая энергетическая полоса соприкасается в точке k k0 с одной или несколькими соседними энергетическими полосами. Такое явление принудительного соприкосновения имеет место, в частности, у всех кристаллов, группа которых содержит инверсию и хотя бы одну нетривиальную винтовую ось или плоскость скольжения. [31]

Согласно одноэлектронной модели, электроны в кристаллах попарно заполняют уровни каждой энергетической полосы, начиная с нижнего уровня самой нижней зоны. При этом возможна ситуация двоякого рода. [32]

Последние предположили, что сверхпроводимость имеет место в металлах с пересекающимися энергетическими полосами, причем нижняя полоса почти полностью заполнена. [33]

Коллективизированные электроны, заполняющие s -, p - и d - энергетические полосы или зоны, характеризуются не только энергиями, но в равной мере и S -, р -, d - орбиталями, различающимися по симметрии. Внешние валентные электроны характеризуются в свободных невозбужденных атомах s -, р -, cf - орбиталями, обусловливающими распределение электронов в пространстве вокруг ядра. Сближение атомов приводит к расширению дискретных энергетических уровней в полосы или энергетические зоны, сохраняющие симметрию s -, р -, rf - состояний и признаки геометрии соответствующих атомных орбиталей. Перекрытие электронных орбиталей между ближайшими соседями означает образование металлических связей. [34]

Естественно предположить, что полуметаллы обладают промежуточными свойствами, поскольку структура их энергетических полос имеет сходство как со структурой полос металла, так и полупроводника. [35]

Осуществлена оцеюка плотности состояний вблизи уровня Ферми, а также обсуждены специфические особенности энергетической полосы в эквиатомном мшоалюм иниде титана. [36]

Здесь р - энергия, которую нужно затратить для перевода электронов вещества в следующую энергетическую полосу металла. Поэтому ширина Крг-полосы должна увеличиваться с температурой. [37]

Поскольку в случае сильного магнитного поля энергетические уровни носителей тока имеют тенденцию собираться в виде отдельных узких энергетических полос, то на кривой поглощения следует ожидать появления осциллирующей структуры. Если бы не было расширения по энергии для движения по оси z, то спектр должен бы быть линейчатым. Вместо этого линии в спектре расплываются, порождая последовательность максимумов и минимумов. Следует ожидать, что этот эффект легче всего наблюдать в условиях прямых переходов, так как в случае непрямых переходов тонкая структура спектра энергий электронов в магнитном поле смазывается вследствие распределения импульсов среди фононов. [38]

В теории твердого тела разработаны многие модельные методы, позволяющие количественно описать структуру и ширину энергетических полос кристаллических решеток. Видимо, эти модели могут быть использованы в качестве нулевого приближения и для плотной плазмы. [39]

Очевидный эффект температуры состоит в появлении в формуле (8.19) ненулевых Р для начальных состояний в пределах энергетической полосы шириной kBT возле основного состояния. В модели независимых частиц это обеспечивается обычным множителем Ферми. [40]

В одноэлектронном приближении решением уравнения Шредингера в кристалле являются функции Блоха, а собственные значения энергии образуют энергетические полосы. [41]

К неоднородно уширенным относятся также линии, возникающие в результате оптических переходов частиц, распределенных по подуровням широких сплошных энергетических полос или зон. Полосы поглощения и люминесценции сложных молекул и полупроводников следует считать неоднородно уширенными. Они получаются в результате наложения и слияния большого числа линий, характеризующих переходы отдельных частиц с заданными значениями энергии. [42]

Последующая работа Бардина и Браттена [33] по германию свидетельствует о том, что поверхностные состояния сосредоточены в узкой энергетической полосе. В связи с этим приближение, согласно которому одному типу поверхностных состояний соответствует один энергетический уровень, является обоснованным. [43]

К-уровня атома в континуум состояний, осуществляются селек-тиваые переходы К-элоктронов атомов в области повышенной плотности состояний в высоких энергетических полосах металла. [44]

Схема фотоэффекта на границе металл-электронный полупроводник. Уровень примеси-дона-торный. [45]

Страницы: 1 2 3 4