Полупроводник - л-тип
Cтраница 1
Полупроводник л-типа, не слишком нагруженный, можно описать с помощью (6.9.1) с М S N. [1]
 |
Термостолбик для измерения интенсивности излучения. [2] |
В полупроводниках л-типа основными подвижными носителями заряда являются отрицательные электроны, а в полупроводниках р-типа - положительные дырки. В случае контакта двух полупроводников электроны и дырки получают возможность переходить из одного полупроводника в другой, и поэтому между полупроводниками, так же как и между металлами, возникает контактная разность потенциалов, а в тонком пограничном слое появляется контактное электрическое поле. [3]
На полупроводниках л-типа каналы образуются ft атмосфере озонированного кислорода, на полупроводниках р-ти-па - во влажной атмосфере. Практически каналы начинают создаваться при влажности порядка 30 %, однако длина их невелика. Максимальная длина канала, достигнутая на образцах германия при влажности 92 %, составляла 1 15 мм. [4]
В случае полупроводника л-типа и наличия на его поверхности положительного заряда в приповерхностном слое образуется объемный заряд за счет повышенной концентрации основных носителей - электронов. Зарядом акцепторных центров в объеме можно пренебрегать, так как их концентрация незначительна, а при достаточно чистом полупроводнике они вообще будут отсутствовать. [6]
Пусть в полупроводнике л-типа имеется глубокий уровень до-норного типа, для которого еп ер. При охлаждении первоначальное стационарное заполнение уровня электронами не изменяется. [7]
Селенид ртути является полупроводником л-типа проводимости, что объясняется внедрением атомов ртути в междоузлия или вакансиями в подрешетке селена. Наиболее вероятное значение ширины запрещенной зоны селенида ртути 0 2 эв, хотя в литературе встречаются указания как в сторону увеличения, так и меньше указанной величины. Для кристаллов HgSe с концентрацией электронов не менее 3 5 - 1017 слг3 подвижность их достигает 18500 см / в-сек при 300 К - Легированием не удается получить селенид ртути р-типа. Исследованием термо - и гальваномагнитных эффектов в селениде ртути было показано, что подвижность электронов в нем лимитируется рассеянием на акустических фононах. Это служит доказательством преимущественной ковалентной межатомной связи в селениде ртути. [8]
Предположим теперь, что в полупроводник л-типа вводится акцепторная примесь. [9]
Неосновные носители ( дырки в полупроводнике л-типа и электроны в р-полупроводнике) диффундируют в область п-р-перехода, втягиваются в него и образуют пространственный заряд по другую сторону перехода. Таким образом, происходит накопление носителей тока разных знаков в двух противоположных частях полупроводника. Однако этот процесс не может продолжаться сколь угодно долго, так как в результате накопления зарядов возникает электрическое поле, препятствующее дальнейшим переходам. Таким образом, наступает динамическое равновесие между переходами электронов ( дырок) в одну и другую сторону. В результате образуется постоянная разность потенциалов ( фото-э. [10]
В отличие от собственного полупроводника у полупроводника л-типа кривая распределения Ферми - Дирака и уровень Ферми смещаются вверх. Это объясняется тем, что атомы примеси обладают энергетическими уровнями, отличающимися от уровней собственного полупроводника. Пятивалентные примеси имеют энергетические уровни валентных электронов вблизи зоны проводимости собственного полупроводника. Величина & WnWn-Wf мала ( около 0 05 эВ), поэтому даже при комнатной температуре почти все электроны с примесного уровня переходят в зону проводимости. Концентрация электронов в зоне проводимости полупроводника - типа определяется выражением nn Na ntKNu, где N - концентрация доноров. [11]
Сравним изменение поверхностной электропроводности для нескольких полупроводников л-типа с разным удельным сопротивлением. [13]
Электроны составляют подавляющее большинство носителей в полупроводнике л-типа, и поэтому называются основными носителями, а дырки-неосновными. [14]
Если основным полупроводниковым материалом в полевом транзисторе служит полупроводник л-типа ( как это показано на рис. 4.12 а), источники постоянного напряжения должны быть подключены таким образом, чтобы на стоке был положительный, а на затворе отрицательный относительно истока потенциал. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5