Полупроводник - л-тип
Cтраница 2
До каких пор будет происходить обмен носителями зарядов полупроводника л-типа и контактирующего с ним металла. [16]
Метод вплавления заключается в вплавлении акцепторной примеси в монокристалл полупроводника л-типа электропроводности или донорной примеси в монокристалл полупроводника р-типа. [17]
В рассматриваемом случае проводимость обусловлена электронами и кристалл является полупроводником л-типа. [18]
Производятся исследования с применением в качестве носителя окиси цинка, полупроводника л-типа. [19]
В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников л-типа и чисто дырочной для полупроводников р-типа. [20]
Концентрации в неравновесном состоянии будем обозначать пп, рп для полупроводника л-типа и Яр, рр - для полупроводника р-типа, а в равновесном Япо, РПО, РО и рро соответственно. [21]
Пропускным в этом случае является направление от проводника р-типа к полупроводнику л-типа. [22]
В какой из половин запрещенной зоны находится уровень Ферми в полупроводнике л-типа и р-типа. [23]
На рис. 3.11, а изображена энергетическая диаграмма контакта металл - полупроводник л-типа в равновесном состоянии. [24]
 |
Зависимость барьерной емкости / 7-п-перехода от величины обратного напряжения. [25] |
Контакт металла с полупроводником может иметь две разновидности: металл с полупроводником л-типа и металл с полупроводником р-типа. Рассмотрим контакт металла с полупроводником л-типа. Основную роль в контактных явлениях играет работа выхода из металла и из полупроводника. [26]
Мигрируя от эмиттера к коллектору, дырки проходят довольно значительные расстояния в полупроводнике л-типа, и поэтому чрезвычайно важное значение для эффективной работы транзистора имеет их процесс рекомбинации с электронами. Поэтому вполне понятны те большие усилия, которые делаются исследователями, работающими в области физики твердого тела, для увеличения времени жизни дырок и разработки приемов управления этим параметром вещества. Монокристаллы германия, предназначающиеся для изготовления транзисторов, сравниваются и оцениваются по величине времени жизни носителей тока. Время жизни носителей тока в монокристаллах германия является исключительно важным параметром, знание которого необходимо при конструировании полупроводниковых приборов. Характерные значения времен жизни носителей тока в германии находятся в пределах от нескольких микросекунд до 2000 - 3000 мксек. [27]
 |
Структура полевого транзистора с управляющим переходом ( а и его условное изображение ( б в схеме усилителя с ОИ. [28] |
Основной элемент полевого транзистора с управляющим р-п-переходом ( рис. 5.19) - пластина полупроводника л-типа, на которую с двух сторон нанесены слои полупроводника р-типа. На торцы полупроводниковой пластины и-типа и на две области / ьтипа нанесены металлические пленки, к которым припаяны омические контакты, а два слоя / ьтипа соединены между собой. Один из электродов, подключенный к полупроводнику / - типа, от которого движутся электроны, называют истоком И, а электрод, к которому движутся электроны, - стоком С. [29]
 |
Образование р - п перехода при контакте электронного полупроводника с дырочным. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5