Компенсированный полупроводник
Cтраница 1
Компенсированные полупроводники могут также обладать электронной или дырочной электропроводностью. [1]
В частично компенсированных полупроводниках положение уровня Ферми отличается от его положения в обычных примесных полупроводниках. [2]
 |
Зависимость логарифма концентрации электронов. п ( 1 / п от 1 / Г в полупроводнике п-тнаа. [3] |
Энергетическая схема компенсированного полупроводника Извилистая линия изображает искривление дна зоны проводимости, верхняя сплошная линия - энергию дна зоны проводимости в отсутствие примесного потенциала, нижняя сплошная линия - уровень Ферми, штрих-пунктирная линия - уровень протекания. [4]
В плазме высокоомных компенсированных полупроводников возможно возбуждение специфических медленных волн объемного заряда ( основной заряд сосредоточен на ловушках) - так называемых волн пространственной перезарядки ловушек [ 10.131. Движение такой волны происходит в результате генерации электронов с ловушек в одних областях пространства и последующего их захвата в других. [5]
Пусть база диода представляет собой компенсированный полупроводник, легированный донорными и акцепторными примесями. В качестве донорной взята примесь, образующая - мелкозалегающие энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника. При использовании германия это может быть, например, сурьма или висмут. В качестве акцепторной примеси рассмотрим золото, образующее в запрещенной зоне германия глубокие акцепторные уровни. [6]
Поведение концентрации носителей в частично компенсированном полупроводнике в области собственной проводи-мости, очевидно, аналогично поведению чисто донорного полупроводника с одним типом доноров. [8]
 |
Температурная зависимость уровня Ферми в донорном полупроводнике с различными степенями компенсации доноров. Обозначения соответствуют 38. [9] |
Кривые 2 и 3 соответствуют частично компенсированным полупроводникам. [10]
 |
Температурные зависимости подвижности ( а и проводимости ( б p - Si при различной степени легирования. [11] |
Большим р могут обла - дать и компенсированные полупроводники, в которых Na-Nd, поэтому концентрация носителей заряда определяется шириной запрещенной зоны, а подвижность падает благодаря интенсивному рассеянию на примесях. [12]
Изменение биполярной ( групповой) подвижности в компенсированном полупроводнике. Диф-С) распределение инжектированных носителей тока в большей части базы определяется электрическим полем, возникающим из-за протекания тока. [13]
 |
Механизм прыжковоГг щ о - [ IMAGE ] Плотность состояний в водимости в компенсированном го - примесной зоне и зоне проводи-лупроводнике n - типа мости полупроводника п-типа. [14] |
Прыжковая электропроводность возникает при низких температурах в компенсированных полупроводниках. Например, присутствие акцепторов в полупроводнике n - типа ионизирует часть доноров. [15]
Страницы: 1 2 3 4