Компенсированный полупроводник

Cтраница 3

В зависимости от структурных особенностей полупроводника, наличия и типа примесей время жизни может очень сильно изменяться, в частности у компенсированных полупроводников оно заметно ниже, чем у чистых собственных полупроводников, несмотря на равенство их проводи-мостей. [31]

Фототранзистор с дополнительным инжекционным усилением [65] представляет собой структуру ( рис. 8.9), входной частью которой ( эмиттер - длинная база) является инжекционный фотодиод на основе высокоомного компенсированного полупроводника. Примесная засветка изменяет концентрацию основных носителей заряда в длинной базе. [32]

Заметно, что даже весьма малая добавка компенсирующей примеси заставляет уровень Ферми при Т 0 переместиться из точки Ес - A. Поведение концентрации носителей в частично компенсированном полупроводнике в области собственной проводимости, очевидно, аналогично поведению чисто донорного полупроводника с одним типом доноров. Весь анализ, проведенный нами для частично компенсированного донорного полупроводника, можно совершенно аналогично провести для частично компенсированного акцепторного полупроводника с той разницей, что величины Ed и Nc перейдут в Еа и Nv, а величины ( Nd - Na) и Nd перейдут в ( Na - Nd ] и Na соответственно. Кроме этого, при вычислениях необходимо учесть другое значение g - фактора для распределения электронов по акцепторным состояниям в сравнении с распределением по донорным уровням. [33]

Если Ш ] [ Л ], образец назаывют компенсированным полупроводником; концентрация носителей тока в нем соответствует концентрации носителей в веществе, не содержащем примесей. На рис. 37, в показан частично компенсированный полупроводник, в котором концентрация доноров превышает концентрацию акцепторов. [34]

Как видно из рисунка, в объемном теллуриде свинца рост подвижности при понижении концентрации носителей, связанный с уменьшением рассеяния на акустических колебаниях решетки и с влиянием непараболичности зоны проводимости, при концентрациях менее 5 - 1017 см 9 сменяется снижением. Действие статистических флюктуации наиболее сильно проявляется в компенсированных полупроводниках [154], в которых концентрация носителей равна разности концентраций доноров-и акцепторов, каждая из которых значительно больше, чем концентрация носителей заряда. Тогда относительные флюктуации: концентрации носителей во много раз превышают относительные флюктуации концентраций донорных и акцепторных центров. [35]

Как видно из рисунка, в объемном тел-т луриде свинца рост подвижности при понижении концентрации носителей, связанный с уменьшением рассеяния на акустических колебаниях решетки и с влиянием непараболичности зоны проводимости, при концентрациях менее 5 - 1017 см 9 сменяется снижением. Действие статистических флюктуации наиболее сильно проявляется в компенсированных полупроводниках [154], в которых концентрация носителей равна разности концентраций доноров-и акцепторов, каждая из которых значительно больше, чем концентрация носителей заряда. Тогда относительные флюктуации: концентрации носителей во много раз превышают относительные флюктуации концентраций донорных и акцепторных центров. [36]

Влияние степени легирования на порог генерации в случае прямых переходов ( а и переходов без правила отбора ( б. Цифры иа кривых - значения кп / Оо, тч / те-7. [37]

Как показано на рис. 102, легирование диода по-разному, в зависимости от кп, влияет на величину порогового тока. Для малых кп порог генерации с переходом от компенсированного полупроводника к полупроводнику n - типа сначала уменьшается, а затем монотонно увеличивается. С переходом к полупроводнику р-типа / п проходит через максимум. Для больших кп превышение концентрации доноров над акцепторами приводит к повышению порога. Легирование акцепторами вызывает уменьшение / п в случае прямых переходов, а для переходов без правила отбора имеется минимум ja, соответствующий промежуточно легированному полупроводнику р-типа. [38]

Проводимость, связанная с носителями, которые совершают перескоки между локализованными состояниями вблизи уровня Ферми. Этот процесс аналогичен прыжковой проводимости по примесям в сильно легированных компенсированных полупроводниках. В области локализованных состояний электрон с заданной энергией не может удалиться достаточно далеко от своего центра локализации. Хотя может существовать перекрытие волновых функций некоторых состояний, отвечающих достаточно близким потенциальным ямам, его недостаточно для того, чтобы проводимость системы при 70 К была отлична от нуля. [39]

Последние два процесса по энергии активации близки к процессу собственной ионизации, так как для легирующих примесей & Еа С А. Заметим, однако, что подвижности носителей заряда в полностью компенсированном полупроводнике будут значительно ниже, чем в собственном, за счет дополнительного рассеяния носителей на заряженных ионах доноров и акцепторов. Следовательно, более высокое удельное сопротивление полупроводника еще не свидетельствует о более высокой степени очистки его от примесей. [40]

Перемещенные в силу рассмотренных причин носители захватываются на глубокие ловушки, в результате чего формируется неравновесный пространственный заряд. Наиболее популярная теоретическая модель фоторефракции [11] представляет кристалл в виде компенсированного полупроводника. Считается, что донорные центры, с которых происходит фотовозбуждение носителей, заполнены лишь частично. При этом ионизированные доноры с концентрацией NO служат центрами захвата. Постулируется присутствие в образце также акцепторных центров с концентрацией NA Np. [41]

Схема включения нейристорной линии ( а и ВАХ структуры S-типа ( б. [42]

Отдельный элемент линии состоит из р-я-перехода, высокоомной области из компенсированного полупроводника и антизапорного контакта. [43]

Связанные с зарядами вакансии могут при синтезе остаться в своих подрешетках ( компенсированный полупроводник), но могут в зависимости от условий синтеза испариться в вакуум с одновременной нейтрализацией зарядов. В этом двояком поведении вакансий еще одно интересное отличие вакансионного эффекта от примесного, ибо испарение примесей происходит много труднее, чем испарение пустых мест - вакансий. [44]

Согласно оценкам, проведенным в [52], сопротивление слоя не должно превышать единиц килоом. Именно по этой причине большинство люминофоров, применяемых в ЭЛП, не годится для ВЛИ, поскольку они являются или изоляторами, или полностью компенсированными полупроводниками. [45]

Страницы: 1 2 3 4