Чистый полупроводник
Cтраница 2
Получение чистых полупроводников сводится к получению чистых летучих соединений ( гидридов, гидрогалогени-дов или галогенидов) германия или кремния, химической или физической очистке последних ( чаще всего фракционной дистилляцией) и последующему восстановлению твердого германия или кремния и очистке его. [16]
 |
Схема энергетических зон. [17] |
Для чистых полупроводников при убывании частоты падающего света коэффициент поглощения при некотором значении v резко падает и материал становится прозрачным для лучей с меньшими частотами. Этот участок быстрого спада поглощения называется краем собственного поглощения. [18]
Пары чистого полупроводника осаждаются на слабо подогреваемой подложке. [19]
Проводимость чистого полупроводника принято рассматривать как собственную проводимость, в то время как проводимость, обусловленную примесью, классифицируют как проводимость примесную. [20]
В чистых полупроводниках при Т О К высшая заполненная зона ( валентная зона) полностью занята, а низшая свободная зона ( зона проводимости) не содержит ни одного электрона. Такой кристалл не проводит электрического тока, так как ни один электрон, находящийся в целиком заполненной зоне, не может изменить своего движения под действием электрического поля. При более высоких температурах термическое возбуждение переводит часть электронов из валентной зоны в зону проводимости. Проводимость такого кристалла отлична от нуля. [21]
 |
Упрощенная схема прохождения тока через полупроводник с дырочной проводимостью. [22] |
В чистом полупроводнике количество освобождающихся электронов равно количеству дырок и относительно невелико. [23]
В чистом полупроводнике число высвобождающихся в каждый момент времени электронов равно числу образующихся при этом дырок. Общее же их число при комнатной температуре относительно невелико. Поэтому электропроводимость такого полупроводника, называемая собственной, также невелика. Иными словами, такой полупроводник оказывает электрическому току довольно большое сопротивление. [24]
В чистых полупроводниках концентрация носителей заряда - свободных электронов и дырок - составляет лишь 101в - 1018 на 1 см3 вещества. [25]
В чистом полупроводнике число свободных электронов и дырок очень мало. При добавлении к нему примеси количество свободных зарядов значительно увеличивается. [26]
 |
Кристаллическая решетка полупроводника. [27] |
В чистом полупроводнике число свободных электронов и дырок-очень мало. При добавлении к нему примеси количество свободных зарядов значительно увеличивается. При этом, вводя в полупроводник соответствующую примесь, можно достигнуть того, что в нем будут преобладать либо электроны, либо дырки. [28]
В чистых полупроводниках имеет место собственная проводимость. Между тем наличие даже небольшой примеси в полупроводнике оказывает очень большое влияние на его проводимость, создавая так называемую примесную проводимость полупроводника. Некоторые примеси обогащают полупроводник свободными электронами, создавая в нем преимущественную электронную проводимость. Такие примеси называются донорными ( дающими), а полупроводники - электронными, или полупроводниками n - типа. Другие примеси обогащают полупроводник дырками, создавая в кш п еиму1иествеияуш ьфонную проводимость Такие примеси называются акцепторными ( принимающими) Г - а полупроводники - дырочными полупроводниками, или полупроводниками р-типа. Поясним сказанное опять-таки на примере германия. [29]
В чистом полупроводнике число дырок равно числу электронов, такой полупроводник называется собственным. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5