Чистый полупроводник

Cтраница 3

В чистом полупроводнике число дырок равно числу электронов, такой полупроводник называют собственным. Примесь, поставляющую свободные электроны, называют донорной; примесь, поставляющую свободные дырки, называют акцепторной. Носители заряда, имеющиеся в большем количестве, называют основными; носители заряда, имеющиеся в меньшем количестве, называют неосновными. [31]

В чистом полупроводнике, проводимость которого обусловлена тепловым возбуждением, одинаковое число электронов и дырок движется в противоположных направлениях. Проводимость возрастает при повышении температуры. [32]

В чистом полупроводнике количество пар дырка-электрон одинаково, поэтому проводимость его мала. Для создания проводимости одного типа, свойственной активному сопротивлению, в полупроводнике р-типа ( для данного случая) способом диффузии формируют канал n - типа. При повторной диффузии в n - области формируют затвор, а затем напыляют электроды. [33]

Вид функции Ферми.| Уровень Ферми WF, функция Ферми f ( W и распределение равновесных носителей в чистом полупроводнике. [34]

В чистом полупроводнике, как уже указывалось, число электронов в зоне проводимости равно числу дырок в валентной зоне. На рисунке представлены вид функции Ферми полупроводника с собственной проводимостью, а также распределение электронов и дырок соответственно в зоне проводимости и валентной зоне. [35]

Схема заполнения вин в диэлектриках и полупроводниках ( а, металлах ( б и полуметаллах ( в.. р - Уро - б вень Ферми. [36]

В чистых полупроводниках и диэлектриках ( р проходит в запрещенной зоне, разделяющей валентную зону и зону проводимости; в металлах или сильно легированных полупроводниках - в разрешенной зоне. [37]

В чистых полупроводниках при достаточно низких темп - pax ( в n - Si при Т 55 К) в определ. Et в плоскости ( 011) неустойчиво. Этим двум значениям Et соответствуют преимущественные заполнения электронами долин с осями вращения эллипсоидов вдоль оси [010] или 1001 ], В результате в одном образце могут сосуществовать области ( домены) с разл. EI, разделенные доменными стенками. Для тока вдоль оси [111] есть 3 равных Et, направленных под углами 120 друг к другу ( многознач-аы. [38]

Энергетические зоны в полупроводниках с собственной проводимостью ( а и с примесной проводимостью n - типа ( о и р-типа ( а. [39]

В чистых полупроводниках, в отличие от металлов, при температуре О К валентная зона полностью вплоть до ее верхнего уровня Wv заполнена электронами. [40]

В чистых полупроводниках имеет место собственная проводимость. [41]

В чистом полупроводнике, где примеси не оказывают существенного влияния на электрическую проводимость, говорят о собственной проводимости, обусловленной генерацией пар электрон - дырка при любом способе их образования. [42]

В почти чистых полупроводниках при низких температурах немногочисленные примесные атомы, содержащиеся в кристалле, нейтральны. Слабое электрическое поле ( 5 - 30 В / см) может, однако, ионизировать эти примеси. Последнее приводит к тому, что свободные носители, возникшие в результате ионизации, экранируют кулондаское взаимодействие между электронами я дырками, уменьшая вероятность образования экситона и приводя к исчезновению экситонного пика в спектре поглощения. [43]

В достаточно чистом полупроводнике при низких температурах только нижний минимум занят электронами. Но при возрастании температуры оказываются занятыми более высокие минимумы и коэффициент Холла возрастает, поскольку имеет место проводимость в двух подзонах. Такое поведение родственно проводимости, обусловленной примесной зоной, но в данном случае оно наблюдается при температурах между 100 и 300 К. [44]

Расщепление энергетиче - [ IMAGE ] Энергетические зоны собствен. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5