Химически чистый полупроводник
Cтраница 1
Химически чистые полупроводники обладают собственной проводимостью, которую в отличие от проводимости, обусловленной наличием примесей, обозначают буквой L Эта проводимость наполовину электронная и наполовину дырочная. При весьма низкой температуре полупроводник практически является диэлектриком. Но при повышении температуры проводимость его возрастает, так как все большее количество электронов, бывших ранее связанными, переходит в полусвободное состояние и вместе с тем возникает такое же количество дырок. [1]
Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов: кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения: арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [2]
Проводимость химически чистого полупроводника, определяемая наличием в нем свободных электронов и дырок, называется собственной электропроводимостью. [3]
Электропроводность химически чистого полупроводника оказывается возможной в тех случаях, когда ковалентные связи в кристаллах разрываются. [4]
Электропроводность химически чистого полупроводника оказывается возможной в тех случаях, когда ковалентные связи в кристаллах разрываются. Например, нагревание до сравнительно невысоких температур приводит к разрыву ковалентных связей, появлению свободных электронов и возникновению собственной электронной проводимости ( проводимости п-типа)) чистого полупроводника. [5]
Электропроводность химически чистого полупроводника оказывается возможной в тех случаях, когда кова-лентные связи в кристаллах разрываются. Например, нагревание до сравнительно невысоких температур приводит к разрыву ковалентных связей, появлению свободных электронов и возникновению собственной электронной проводимости ( проводимости п-типа)) чистого полупроводника. Энергия, которая должна быть затрачена для создания в кристаллах чистых полупроводников электропроводности, называется энергией активации собственной проводимости. Ее значения в электрон-вольтах для различных полупроводников указаны на рис. III.3.10 в кружках. [6]
Проводимость химически чистых полупроводников называется собственной проводимостью, а сами полупроводники - собственными полупроводниками. Проводимость полупроводников, содержащих примесь, называется несобственной. В полупроводнике / г-типа свободные электроны называются основными носителями тока, а дырки - неосновными носителями; в полупроводнике р-типа - наоборот. [7]
Электропроводность химически чистых полупроводников называется собственной проводимостью. [8]
 |
Энергетические зонные диаграммы при температуре Г - ОК. [9] |
Беспримесный, химически чистый полупроводник называется собственным. [10]
Внесение в химически чистый полупроводник примесей иного вещества обогащает энергетическую диаграмму новыми локальными уровнями примесных атомов, которые могут располагаться в запрещенной зоне. Появляются возможности энергетических переходов между локальными уровнями или обмена частицами между этими уровнями и разрешенными зонами. Подобные переходы используются, в частности, в рубиновом лазере. [11]
Внесение в химически чистый полупроводник примесей иного вещества обогащает энергетическую диаграмму новыми локальными уровнями примесных атомов, которые могут располагаться в запрещенной зоне. Появляются возможности энергетических переходов между локальными уровнями или обмена частицами между этими уровнями и разрешенными зонами. Подобные переходы используются, в частности, в рубиновом лазере. Совокупность энергетических уровней ансамбля частиц ( атома, молекулы, твердого тела и др.) называют энергетическим спектром этого ансамбля. [12]
Электрическая проводимость химически чистых полупроводников называется собственной проводимостью. [13]
В случае химически чистого полупроводника ( собственная проводимость) образуется одинаковое количество свободных электронов и Дырок. Такой полупроводник обладает и электронной, и дырочной проводимостями. Примеси обусловливают примесную проводимость: в этом случае может преобладать либо электронная, либо дырочная проводимость. Если в кристалле германия имеются примесные атомы сурьмы, имеющей 5 валентных электронов, то 4 из них образуют ковалентную связь с 4 атомами германия, а пятый ( валентный) электрон оказывается слабо связанным с положительно заряженным ионом примеси, так как энергия связи этого избыточного электрона с ионом мала. Вследствие возбуждения эти примесные электроны легко покидают атом и принимают участие в переносе заряда. [14]
 |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [15] |
Страницы: 1 2 3