Химически чистый полупроводник

Cтраница 2

В полупроводниковых приборах химически чистые полупроводники используются довольно редко. Обычно для изготовления приборов применяют полупроводниковые материалы, электропроводность которых обусловлена преимущественной концентрацией подвижных носителей электрических зарядов того или иного знака: электронов или дырок. [16]

Уровень Ферми располагается в химически чистом полупроводнике в середине запрещенной зоны, в легированном-в середине уровней примеси. [17]

Все сказанное выше относится к химически чистым полупроводникам, технология изготовления которых, в частности кремния, представляет большие трудности. [18]

Как уже упоминалось, в полупроводниковых приборах практически не используются химически чистые полупроводники, а применяются главным образом полупроводники с примесями, добавление которых приводит к существенному увеличению числа носителей зарядов. Электропроводность таких полупроводников называется примесной. [19]

Как известно из физики и из курса Электронные приборы, концентрации свободных электронов и дырок в химически чистом полупроводнике при комнатных температурах невелики. Лишь небольшая часть валентных электронов с энергией, близкой к потолку валентной зоны, разрывая валентные связи, переходит в зону проводимости на уровни, лежащие вблизи ее дна. На рис. 9 - 20 рядом с энергетической диаграммой показана функция Ферми F ( E) dN / dZ плотности заполнения состояний частицами, а также функция Ф ( Е) - dN / dE - распределения частиц по энергиям. У потолка валентной зоны картина иная: здесь вероятность обнаружить освободившиеся состояния весьма мала. [20]

На рис. 9 - 2, а эти зоны показаны на потенциальной функции U ( г) кристалла химически чистого полупроводника, а на рис. 9 - 2, б - в виде одномерной энергетической диаграммы. [21]

Полупроводник считается пригодным для производства приборов, если концентрация примесных электронов лпр меньше или равна концентрации собственных электронов л - в химически чистом полупроводнике. [22]

Для построения полупроводниковых приборов ( диодов и триодов) используют германий и кремний. Но электропроводность химически чистых полупроводников при комнатной температуре очень мала, так как концентрация носителей зарядов при этом незначительна. Проводимость чистого полупроводника называется собственной проводимостью. [23]

Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химически чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной проводимостью. [24]

Влияние полярности напряжения источника на ширину р - я-переходя. [25]

Для изготовления полупроводниковых приборов необходимо, чтобы в полупроводнике один из типов проводимости значительно преобладал над другим. Для этого в химически чистый полупроводник вводят примесь - элементы V или III группы периодической системы. [26]

Различают собственные и примесные полупроводники. К числу собственных относятся химически чистые полупроводники. Электрические свойства примесных полупроводников определяются имеющимися в них искусственно вводимыми примесями. [27]

Наличие внутреннего электрического поля приводит к тому, что в узкой области ( на рис. 134, а эта область обозначена через б) полупроводник обеднен подвижными носителями ( дырками и электронами), так как электрическое поле расталкивает их по обе стороны от барьера. Поэтому в отличие от однородных областей р и п сопротивление обедненного слоя шириной 60 оказывается даже больше, чем у химически чистого полупроводника, у которого при комнатной температуре всегда имеется вполне определенная концентрация дырок и электронов. [28]

Полупроводники занимают промежуточное место между металлами и изоляторами. Их удельное сопротивление при комнатной температуре может меняться в достаточно широких пределах в зависимости от степени химической чистоты. Химически чистый полупроводник по своему удельному сопротивлению близок к изолятору, в то время как полупроводник, в который введен небольшой процент примеси ( 10 - 3 - 10 - 6 %) другого элемента ( легированный полупроводник), по своему удельному сопротивлению близок к металлу. В отличие от металлов при низких температурах полупроводники становятся изоляторами. [29]

Схема образования электронов и дырок в собственном полупроводнике. [30]

Страницы: 1 2 3