Ионный полупроводник

Cтраница 2

Хеперь рассмотрим вкратце полную энергию ионных полупроводников. Мы убедились, что длина связи определяется главным образом взаимодействием, связанным с перекрытием волновых функций. Это взаимодействие так быстро увеличивается при уменьшении d, что для едва заметного изменения длины связи требуется огромное изменение энергии связи. [16]

Кроме того, твердая фаза MG считается чисто ионным полупроводником с преимущественно электронной проводимостью. [17]

Мы отмечали, что энергия плоской грани ( 111) ионных полупроводников выше, / поскольку одна такая грань является чисто металлической, а другая - чисто неметаллической. Тем не менее существуют экспериментальные методы получения таких поверхностей. Нетрудно убедиться в том, что для того чтобы на указанных поверхностях не происходило накопления заряда, они не должны быть плоскими. Однако мы не будем здесь подробно обсуждать эти результаты. [18]

Экспериментальные кривые температурной зависимости концентрации электронов в образцах кремния с различным дозированным содержанием примесных атомов фосфора. [19]

Возможно, что это связано с тем общим замечанием о ионных полупроводниках, которое приведено на стр. [20]

И, наконец, все большее внимание привлекают к себе так называемые ионные полупроводники, электропроводность которых обусловлена переносом ионов, а не электронов. К таким полупроводникам относятся некоторые оксидные стекла, например, на основе SiO2 и многие другие полупроводники. [21]

Вывод о том, что отличные от нуля поправки имеются только для ионных полупроводников, справедлив и в случае полупроводников с тетра-эдрической структурой. [22]

Описан непористый мембранный электрод [900], состоящий из разбавленного раствора фторида лантана ( как ионного полупроводника) и 10 - 50 % более растворимого фторида кальция. В качестве электрода сравнения обычно применяют насыщенный каломельный электрод. [23]

Подобное деление твердых тел позволяет объединить в стройную систему явления, протекающие на поверхности ионных полупроводников и изоляторов, а также ковалентных полупроводников и металлов. Такой подход оказывается продуктивным и при исследовании объемных и поверхностных свойств твердых тел. [24]

Понятие длина свободного пробега электронов и ее зависимость от кинетической энергии теряет смысл для таких ионных полупроводников, в которых длина пробега оказывается меньше межатомных расстояний. Длина волны электронов здесь превышает размеры рассеивающих центров, а неопределенность в значении кинетической энергии на порядок величины больше самой энергии. [25]

Если т от энергии не зависит, как это имеет место, например, в ионных полупроводниках при низких температурах, то символ усреднения () в ( 6.23 а) и (6.236) можно опустить. [26]

Примеси и отступления от стехиомбтрического состава служат источниками зарядов, переносящих ток, и поэтому резко повышают проводимость электронных и ионных полупроводников. В металлах, наоборот, влияние примеси уменьшает подвижность электронов благодаря рассеянию на них электронных волн. [27]

Примеси и отступления от стехиометрического состава служат источниками зарядов, переносящих ток, и поэтому резко повышают проводимость электронных и ионных полупроводников. [28]

Подобная же реконструкция имеет место на кристаллографической поверхности ( ПО), которая реализуется в естественных условиях в ионных полупроводниках, но может быть получена искусственным путем в гомеополярных полупроводниках. Существенно иным типом реконструкции является реконструкция поверхности ( 100), возможным способом реализации которой является образование периодически расположенных вакансий. Атомы, адсорбированные на поверхности ( 111) кремния, имеют различное геометрическое окружение в зависимости от их валентности, причем атомы с валентностью 3, 4 и 5 образуют мостиковую конфигурацию над тремя поверхностными атомами. Такая конфигурация, по-видимому, достаточно устойчива и спонтанно реализуется в случае чистого отожженного полупроводника путем диффузии атомов вдоль поверхности. Это и приводит к сложным конфигурационным картинам после отжига. [29]

Теория пока еще не дает таких аналитических выражений, которые могли бы точно отражать действительный температурный ход подвижности в ионных полупроводниках. [30]

Страницы: 1 2 3 4