Ионный полупроводник

Cтраница 3

Четыре типа матричных элементов межатомного взаимодействия, встречающихся при анализе систем, химическая связь в которых осуществляется через s - и р-орбитали. Эти матричные элементы аналогичны матричным элементам двухатомной молекулы, изображенным на 1Л1. Приближенные значения этих матричных элементов могут быть найдены по формуле Vij Y ] tj № / tnd2, где d - длина связи или межъядерное расстояние, а величины ij берутся из или из О ПОЭ, приведенной в конце книги. В том случае, когда р-орбитали имеют не такое простое направление, как показано в верхней части рисунка, для того, чтобы рассчитать матричные элементы, эти орбитали нужно разложить, рассматривая их как компоненты вектора, что и показано на нижних диаграммах. Можно убедиться в том, что матричный элемент, изображенный в правом нижнем углу, обращается в нуль, поскольку вклады от различных компонент взаимно компенсируются. [31]

Величины из табл. 2.2 приблизительно согласуются со значениями термов, полученных Чади и Козном [22] подгонкой к известным значениям зонных энергий для ионных полупроводников, а также для германия и кремния. [32]

Зависимость сопротивления различных позисторов от температуры показана на рис. 10.7. При относительно малых и больших температурах температурные характеристики позисторов соответствуют температурным зависимостям удельного сопротивления обычных ионных полупроводников, т.е. в этих диапазонах температур позисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления. [33]

Формула (5.17) дает отрицательные значения восприимчивости для веществ со степенью ионности, меньшей 0 45, в то время как соответствующие экспериментальные значения оказываются положительными как для гомеополяряых, так и для ионных полупроводников, Например, подставляя соответствующие значения параметров в (5.17), получим, что для GaAs хп. [34]

При ионной проводимости до некоторой разности потенциалов ( потенциал разложения) ток не проходит и только при дальнейшем увеличении возрастает, но не пропорционально напряжению. Для ионных полупроводников должны наблюдаться электронные и поляризационные эффекты. [35]

Наименьшая же энергетическая щель в точке L ( рассчитываемая точно так же, как и рассматривавшиеся выше) в гомео-полярных полупроводниках не обращается в нуль. В ионных полупроводниках наименьшая энергетическая щель в точке L определяется более сложным выражением даже в рамках модели 1 / гзон. Тем не менее определяемая этим выражением величина щели почти так же хорошо согласуется с точно рассчитанными зонами ( Хар-рисон и Чирачи [19]), как и величина щели в точке X. Этот факт вызывает некоторое удивление, так как из второго и третьего рис. 6.3 видно, что учет дополнительных матричных элементов приводит к большим сдвигам щели в энергетическом спектре, и тем не менее результирующее изменение ширины щели остается небольшим. [36]

Положение простых полупроводниковых веществ в таблице Менделеева. [37]

Существует два типа полупроводниковых веществ: ионные и электронные. В ионных полупроводниках ток переносится ионами вещества, вследствие чего состав и структура ионного полупроводника меняется при прохождении через него электрического тока. Для приборов, служащих для преобразований энергии, такие вещества не пригодны, поскольку они будут разрушаться при прохождении через них тока. Такие вещества в данном курсе не рассматриваются. [38]

Положения простых полупроводниковых веществ в таблице Менделеева. [39]

Существует два типа полупроводниковых веществ: ионные и электронные. В ионных полупроводниках ток переносится ионами вещества, вследствие чего состав и структура ионного полупроводника меняется при прохождении - через него электрического тока. Для приборов, преобразующих энергию, такие вещества не пригодны, так как они будут разрушаться при прохождении через них 1-ока. Такие вещества в данном курсе не рассматриваются. [40]

Известны также ионные полупроводники, в которых электрический ток обусловлен движением ионов. В электронных приборах ионные полупроводники не используются, так как перенос вещества приводит к изменению состава и структуры материала, вследствие чего изменяются его свойства. В электронных полупроводниках ток переносится электронами и дырками, и приборы на основе таких полупроводников очень стабильны. [41]

Величина 4ЕХХ просто является энергией ковалентной связи 1 / 2 и будет рассмотрена в гл. Эта формула очень хорошо описывает ионные полупроводники. [42]

Поляропная модель понных полупроводников, разработанная С. И. Пекаром, приводит к более сложным наинспм - стям / ( Е) и соответственно к несколько иным формулам для а. Теория Пекара хорошо оггравдыиается па ионных полупроводниках, в которых электрон диффундирует вместе с поляризацией окружающей его среды. [43]

Во-первых, чисто ковалентные кристаллы с решеткой алмаза и близкие к ним частично ионные полупроводники A111 Bv и A11 BV. Во-вторых, теория химической связи для остальных классов кристаллов еще не разработана в достаточной мере, во всяком случае в таком аспекте, в каком она рассматривается в данной книге и который заключается в том, что внимание при исследовании химической связи концентрируется не столько на электронной структуре кристалла как таковой, сколько на ее зависимости от свойств атомов, из которых построен кристалл, и от характера взаимодействия атомов. Потребность в рассмотрении проблемы с такой точки зрения диктуется развитием химии и физической химии твердого тела, центральной задачей которых является изучение связи физических свойств твердых тел с их составом и атомным строением. [44]

Страницы: 1 2 3 4