Беспримесный полупроводник
Cтраница 1
Беспримесные полупроводники плохо проводят электрический ток при невысоких температурах, поскольку собственных свободных электронов содержат очень мало. [1]
 |
Схема зон контакта полупроводник - металл ( ssc и ет обозначают средние энергетические уровни электронного распределения. [2] |
Несовершенном беспримесном полупроводнике число электронов равно числу дырок - такой материал называется собственным. Концентрация собственных электронов и дырок возрастает экспоненциально с температурой, как это уже было нами указано для проводимости, изменяющейся по экспоненциальному закону ( см. гл. [3]
В беспримесном полупроводнике ( в идеальном кристалле) при температуре абсолютного нуля все ковалентные связи заполнены и свободных электронов нет. [4]
В беспримесном полупроводнике с повышением температуры возрастает количество свободных электронов, способных перемещаться под действием электрического поля. [5]
В беспримесном полупроводнике энергия фотона затрачивается на образование электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. [6]
В беспримесных полупроводниках л-электроны под - влиянием возбуждения переходят с основных уровней на лежащие выше свободные уровни, облегчаются также переходы электронов от молекулы к молекуле. [7]
В беспримесном полупроводнике, называемом также собственным, образование свободного электрона обязательно сопровождается образованием дырки. Этот процесс называют генерацией электронно-дырочной пары. Замещение вакантной ковалентной орбиты свободным электроном, называемым также электроном проводимости, в результате чего одновременно перестают существовать свободный электрон и дырка, называют регенерацией или рекомбинацией. [8]
Это требование для беспримесных полупроводников достаточно хорошо оправдывается при низких температурах, но с повышением температуры у. [9]
Таковы условия в беспримесных полупроводниках или при достаточно высоких температурах, когда проводимость определяется электронами, перешедшими из заполненной в свободную зону, и равным числом дырок в заполненной зоне. [10]
Таковы условия в беспримесных полупроводниках или при достаточно высоких температурах, когда проводимость определяется электронами, перешедшими из заполненной в свободную зону, и равным числом дырок в заполненной зоне. [11]
При Т 0 К беспримесный полупроводник является совершенным изолятором. [12]
На рис. 1.4 показана зонная модель беспримесного полупроводника. [13]
 |
Схема зонной структуры беспримесного полупроводника при наличии электрического поля. [14] |
На рис. 35 представлена зонная структура беспримесного полупроводника при наличии сильного электрического поля. [15]
Страницы: 1 2 3 4