Беспримесный полупроводник

Cтраница 3

Конденсатор Сн служит для нейтрализации действия внутренней емкости коллектор - база. [31]

В некоторой мере ты прав: так устроены транзисторы p - n - i - p, о которых ми уже говорили. Слой беспримесного полупроводника ( I) в определенном смысле играет роль экрана, снижающего емкость база - коллектор. В дрейфовых моделях транзисторов также имеется зона, удаляющая коллектор от базы. А при работе с обычными транзисторами для предотвращения самовозбуждения используют метод, предложенный для высокочастотных схем на лампах еще до изобретения тетродов. Этот метод заключается в нейтрализации паразитной емкости путем приложения на управляющий электрод напряжений такой же амплитуды, но в противофазе. [32]

Если запрещенная зона узкая ( меньше 1 эв; для германия, например, она равна 0 75 эв), то при повышении температуры некоторые электроны приобретают энергию, достаточную для того, чтобы покинуть валентную зону, и кристалл становится проводником. Это истинные или беспримесные полупроводники. [33]

Это будет возможным только в том случае, когда уровень Ферми будет расположен в запрещенной зоне между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости. Действительно, в беспримесном полупроводнике уровень Ферми располагается вблизи середины запрещенной зоны. [34]

Исключение составляют полупроводники, в которых отношение - весьма велико. Для того чтобы такие беспримесные полупроводники обладали достаточной концентрацией п, необходимо, чтобы ширина запретной зоны не превосходила определенных пределов. [35]

Выяснение механизма проводимости полупроводников позволяет классифицировать их по этому признаку. Проводимость, которой обладают беспримесные полупроводники, называется собственной проводимостью, а эти полупроводники - собственными полупроводниками. Проводимость, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а полупроводники, в кристаллическую решетку которых введены те или иные примеси, получили название примесных полупроводников. [36]

Чрезвычайно редко возникает ситуация, при которой один из механизмов рассеяния был бы намного вероятнее всех других. Если такое положение еще встречается в беспримесных полупроводниках, то в легированных оно практически не реализуется. Чаще проявляются два механизма рассеяния. Ими обычно бывают рассеяние на ионах и акустических фононах; на ионах и оптических фононах. [37]

Распределение электронов по статистике Ферми для металлов. [38]

Это означает, что валентная зона располагается ниже уровня Ферми. Отсюда можно сделать вывод, что в беспримесном полупроводнике уровень Ферми расположен в запрещенной зоне, вблизи ее середины. [39]

Из сказанного ранее следует, что полупроводникам одновременно присущи два вида проводимости. Электронная и дырочная проводимости, возникающие при разрыве ковалентных связей в беспримесном полупроводнике, называются собственной проводимостью. [40]

Донорные примесные уровни истощаются, а акцепторные насыщаются электронами обычно при температурах уже около 70 К. При дальнейшем увеличении температуры кристалла в игру постепенно включаются междузонные переходы - как и в беспримесных полупроводниках. При междузонных переходах как те, так и другие носители тока рождаются в одинаковом количестве. [41]

При температуре абсолютного нуля все электроны связаны с атомами, образующими кристаллическую решетку полупроводникового материала. С повышением температуры часть электронов освобождается, так как в результате теплового возбуждения их энергия оказывается больше энергии активации данного беспримесного полупроводника. Следовательно, возрастает количество электронов, способных - свободно перемещаться под действием электрического поля. [42]

Электрическая проводимость металла определяется произведением концентрации электронов на их подвижность. Подвижность электронов ип есть скорость, измеренная в см / сек, в поле, градиент которого равен 1 в [ см. Наряду с шириной запрещенной зоны АЕ, продолжительностью жизни т и концентрацией носителей зарядов при собственной проводимости, подвижность электронов ип представляет собой четвертую существенную величину, характеризующую полупроводник. В случае беспримесных полупроводников к току, образуемому электронами, добавляется еще ток, образуемый дырками. [43]

В таких простых металлах, как натрий, решетка состоит из плотно упакованных положительных ионов среди конти-ниума электронов. В этом случае валентные электроны уже больше не принадлежат отдельным ионам и могут все участвовать в процессе проводимости. Число носителей зарядов поэтому намного больше, чем в беспримесных полупроводниках, и это число не изменяется с температурой. [44]

Концентрации носителей па и ра называют равновесными; они устанавливаются при наличии термодинамического равновесия. В таком полупроводнике скорость тепловой генерации носителей заряда ( генерации за счет теплового возбуждения) равна скорости их рекомбинации. Поэтому п и ра остаются постоянными при неизменной температуре. В собственном беспримесном полупроводнике По / 70; носители генерируются и рекомбинируют парами. В примесных полупроводниках с донорными примесями ( п-полу-проводниках) п0ра, а в полупроводниках с акцепторными примесями ( р-полупроводниках) П0р0; здесь наряду с парными процессами происходят также одиночные процессы генерации и рекомбинации носителей. [45]

Страницы: 1 2 3 4