Оксидной полупроводник
Cтраница 1
Оксидные полупроводники можно грубо разбить на три класса. В первый из них войдут такие окислы, как ВаО, который используется в качестве термокатодов вакуумных ламп и имеет обычно широкую запрещенную зону; во вторую группу войдут такие окислы, как закись меди Gu20, которая изучается потому, что обладает униполярными свойствами; и, наконец, третий класс окислов образуют окислы металлов, в которых ионы металла имеют разную валентность. [1]
Электропроводность оксидных полупроводников с преобладающей ионной связью отличается от электропроводности кова-лентных полупроводников. Для металлов переходной группы характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В результате при образовании оксида в определенных условиях ( наличие примесей, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы с разными зарядами. Электропроводность таких материалов связана с обменом электронами между соседними ионами. Энергия, необходимая для такого обмена, экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. [2]
У оксидных полупроводников - ZnO, NiO, Ti02, V205, U308, - исследованных до давления 50 000 кг / см2, электрическое сопротивление при комнатной температуре уменьшается с давлением в несколько ( до 10) раз; у Мп04 сопротивление примерно во столько же возрастает при том же давлении. [3]
Электропроводность оксидных полупроводников с преобладающей ионной связью отличается от электропроводности кова-лентных полупроводников. Для металлов переходной группы характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В результате при образовании оксида в определенных условиях ( наличие примесей, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы с разными зарядами. Электропроводность таких материалов связана с обменом электронами между соседними ионами. Энергия, необходимая для такого обмена, экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. [4]
К оксидным полупроводникам с электронной электропроводностью относятся широко используемые в радиоэлектронике ферриты и сегне-тоэлектрики. [5]
 |
Свечение флуоресценции атомов натрия внутри печи для получения. [6] |
При производстве оксидных полупроводников кремниевые пластинки помещают в печь из огнеупорного материала и нагревают при 1000 С в атмосфере О2 до образования оксидного слоя. [7]
На основе оксидных полупроводников CdO, CuO, BaO, ВеО получены резисторы с величиной сопротивления R 10 - 500 ом, имеющие предельную рабочую температуру 250 С. [8]
ВАХ варисторов из оксидных полупроводников связана не со свойствами основной составляющей полупроводниковой керамики - кристаллитами, а со свойствами межкристал-литных прослоек и потенциальных барьеров на поверхности кристаллитов. Поэтому кроме традиционных требований обеспечения достаточной плотности с минимальной пористостью обожженного материала при изготовлении варисторов надо обеспечить высокоомность межкристаллитного слоя, сопротивление которого должно превышать сопротивление объема кристаллитов. [9]
Отличием варисторов из оксидных полупроводников от варисторов из карбида кремния является возможность относительно просто получить большую нелинейность ВАХ. Коэффициент нелинейности варисторов из оксида цинка может составлять несколько десятков. Отрицательной особенностью варисторов из оксидных полупроводников является их меньшая стабильность как при работе, так и при хранении. Именно поэтому варисторы из оксидных полупроводников до сих пор не получили широкого распространения. [10]
Отличием варисторов из оксидных полупроводников от варисторов из карбида кремния является возможность относительно просто получить большую нелинейность ВАХ. Коэффициент нелинейности варисторов из оксида цинка может составлять несколько десятков. Отрицательной особенностью варисторов из оксидных полупроводников является их меньшая стабильность как при работе, гак и при хранении. Именно поэтому варисторы из оксидных полупроводников до сих пор не получили широкого распространения. [11]
Для изготовления термисторов используются оксидные полупроводники, обладающие значительной величиной отрицательного температурного коэффициента сопротивления, например смеси двуокиси титана и окиси магния, окиси никеля в соединении с окислами марганца и др. Термисторы изготовляют в виде цилиндрических стержней, трубок, прямоугольных столбиков, бусинок или тонких нитей. [12]
В АХ варисторов из оксидных полупроводников связана не со свойствами основной составляющей полупроводниковой керамики - кристаллитами, а со свойствами межкристал-литных прослоек и потенциальных барьеров на поверхности кристаллитов. Поэтому кроме традиционных требований обеспечения достаточной плотности с минимальной пористостью обожженного материала при изготовлении варисторов надо обеспечить высокоомность межкристаллитного слоя, сопротивление которого должно превышать сопротивление объема кристаллитов. [13]
Среди стеклообразных полупроводниковых сплавов большую группу составляют оксидные полупроводники, в которые обязательно входят оксиды переходных металлов, способные находиться в сплаве в разновалентном состоянии. [14]
В последнее время налажено массовое производство варисторов из оксидных полупроводников, основой которых является оксид цинка. Принцип действия таких варисторов имеет свои особенности, но требования к исходному материалу, перечисленные выше, справедливы и для оксидных варисторов. [15]
Страницы: 1 2 3