Оксидной полупроводник
Cтраница 2
Изложенное позволяет понять, в чем состоит различие в механизме проводимости обычных полупроводников типа германия, кремния, сернистого свинца, рассмотренных выше, и оксидных полупроводников с переменной валентностью металлических ионов. У первых повышение температуры вызывает увеличение числа носителей тока как в примесной, так и в собственной области проводимости; у вторых влияние температуры сказывается не на числе носителей тока, а на их эффективной подвижности вне зоны проводимости. [16]
Газы-окислители - кислород, хлор, бром - являющиеся акцепторами электронов, взаимодействуют с центрами примесной электропроводности полупроводника n - типа, что уменьшает электропроводность этого оксидного полупроводника. [17]
 |
Конструктивное исполнение дисковых, пластинчатых, трубчатых ПС прямого подогрева, выпускаемых промышленностью. [18] |
ПС KMT, CT1 и ПТ изготавливаются на основе кобальтомарган-цевых, ММТ и СТ2 - на основе медно-марганцевых, СТЗ и МКМТ - медно-кобальтомарганцевых и СТ4 - никелево-кобальтомарганце-вых оксидных полупроводников, СТ5 - на основе титаната бария, легированного 0 1 % по массе Ge, CT6 - на основе легированных твердых растворов в системе ВаТЮ3 - BaSn03, СТ10 - на основе системы BaSr - TiSi03, легированной церием. [19]
Газы-окислители - кислород, хлор, бром - являющиеся акцепторами электронов, взаимодействуют с центрами примесной электропроводности полупроводника n - типа и вызывают тем самым уменьшение электропроводности этого оксидного полупроводника. [20]
Несмотря на то что первые исследования нелинейных ВАХ кристаллов оксида цинка были проведены еще в 20 - х годах О. В. Лосевым в Нижегородской радиолаборатории, а технология первых варисторов из оксидных полупроводников была разработана в 60 - х годах, до сих пор нет четкого понимания принципа действия этих варисторов. Поэтому технология их изготовления имеет эмпирический характер. [21]
Исходным материалом для таких варисторов является оксид цинка ZnO, легированный примесями висмута, кобальта и других элементов. Варисторы из оксидных полупроводников делают методом керамической технологии, которая, однако, имеет ряд особенностей, отличающих ее от технологии производства электроизоляционных изделий. [22]
 |
Типичный вид температурной зависимости сопротивления терморезисторов с отрицательным ( / и высоким положительным ( 2 ТКС.| Статические ВАХ терморезисторов при разных условиях теплоотвода. [23] |
Для их изготовления применяются поликристаллические оксидные полупроводники - окислы меди, марганца, кобальта, никеля, титана и их смеси. Терморезисторы с большим положительным ТКС в узком интервале температур выполняются на основе титан ата бария, легированного редкоземельными элементами. Оба типа терморезисторов изготовляются по керамической технологии и в зависимости от назначения оформляются в виде стержней, дисков и таблеток ( защищенных лаком или герметизированных), миниатюрных бусинок ( покрытых тонким слоем стекла или помешенных в откачанный стеклянный баллон) или тонких пластинок на микромодульных платах. Кроме одиночных терморезисторов выпускаются терморезисторы с косвенным подогревом, в конструкцию которых введена проволочная обмотка - подогреватель, а также сдвоенные терморезисторы для включения в два плеча измерительного моста. [24]
Промышленность в настоящее время выпускает широкий ассортимент полупроводниковых терморезисторов. Наиболее распространенные терморезисторы с отрицательным ТКС выполняются на основе медно-марганцевых ( ММТ и СТ2), кобальто-марганцевых ( КМТ и СТ1) и медно-кобальто-марганцевых ( СТЗ) оксидных полупроводников. [25]
У ПС СТ1 - 19, СТЗ-19 и МКМТ-16 полупроводниковая бусинка герметизирована в миниатюрной капсуле. Миниатюрные бусинковые ПС типа МКМТ предназначены для измерения температуры живых организмов. На основе медно-кобальтомарганцевых оксидных полупроводников разработана серия полупроводниковых микросопротивлений ТС ( типов МТ-54, МТ-5, МТ-57, МТ-58 и др.), предназначенных для измерения температуры ряда биологических объектов, в частности растений. [27]
Отличием варисторов из оксидных полупроводников от варисторов из карбида кремния является возможность относительно просто получить большую нелинейность ВАХ. Коэффициент нелинейности варисторов из оксида цинка может составлять несколько десятков. Отрицательной особенностью варисторов из оксидных полупроводников является их меньшая стабильность как при работе, так и при хранении. Именно поэтому варисторы из оксидных полупроводников до сих пор не получили широкого распространения. [28]
Отличием варисторов из оксидных полупроводников от варисторов из карбида кремния является возможность относительно просто получить большую нелинейность ВАХ. Коэффициент нелинейности варисторов из оксида цинка может составлять несколько десятков. Отрицательной особенностью варисторов из оксидных полупроводников является их меньшая стабильность как при работе, гак и при хранении. Именно поэтому варисторы из оксидных полупроводников до сих пор не получили широкого распространения. [29]
Полупроводниковые терморезисторы, основной характеристикой которых является температурная зависимость сопротивления, выпускаются с номинальными значениями сопротивления от единиц Ом до десятков МОм. Терморезисторы могут быть прямого подогрева, у которых изменение сопротивления вызывается выделившейся мощностью или изменением температуры окружающей среды, а также косвенного подогрева, у которых изменение сопротивления вызывается нагреванием с помощью специальных подогревателей. Терморезисторы, обладающие отрицательным температурным коэффициентом сопротивления ( ТКС) выполняются из полупроводниковых материалов на основе смесей окислов металлов, например, медно-марганцс-вых ( ММТ и СТ2), кобальто-марганцевых ( КЖГ и СТ1) и медно-кобальто-марганцевых ( СТЗ) оксидных полупроводников. Для терморезисторов, обладающих положительным ТКС, используется ти-тано-бариевая керамика. [30]
Страницы: 1 2 3