Обычный полупроводник

Cтраница 1

Изменение удельного объемного электрического сопротивления углеродного волокна в зависимости от температуры обработки ( исходное ПАН-волокно.| Зависимость удельного объемного электрического сопротивления от температуры для углеродных волокон на основе гидратцеллю-лозного волокна, полученных при различных температурах карбонизации ( температуры указаны на кривых. [1]

Обычные полупроводники имеют положительный температурный коэффициент электропроводности в отличие от металлов, для которых он отрицательный. [2]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [3]

В обычных полупроводниках атомы примеси, произвольно расположенные в исходном материале, достаточно удалены друг от друга, так что между собой не взаимодействуют. На энергетической диаграмме это отображается расположением отдельных, не расщепленных в зону энергетических уровней электронов примесных атомов. [4]

Почему в обычных полупроводниках межзонная рекомбинация как фотонная, так и фонопная маловероятны. [5]

Внешние фототоки с обычных полупроводников не велики. Возможно, что одна из причин этого связана с сильным поглощением света. [6]

Внешние фототоки с обычных полупроводников невелики. Возможно, что одна из причин этого связана с поглощением света. [7]

Это явление распространяется не только на обычные полупроводники, но и на многие диэлектрики, подобные стеклообразному селену и многим органическим соединениям. Гарлика 124 ], Брекенриджа [10], Быоба [ 12, 13), и Роуза [ GO ], однако таких работ немного. [8]

Этим объясняется возрастающий интерес к использованию обычных полупроводников в роли фотокатодов. [9]

Если первая быстро устанавливающаяся часть диэлектрической постоянной в обычных полупроводниках составляет от 3 АО 10 единиц, то более медленное смещение ионов доводит ее до 10 - 100 единиц. [10]

Зависимость теплопроводности от среднего молекулярного веса полупроводника. [11]

Эти механизмы переноса тепла играют небольшую роль в обычных полупроводниках. [12]

Изложенное позволяет понять, в чем состоит различие в механизме проводимости обычных полупроводников типа германия, кремния, сернистого свинца, рассмотренных выше, и оксидных полупроводников с переменной валентностью металлических ионов. У первых повышение температуры вызывает увеличение числа носителей тока как в примесной, так и в собственной области проводимости; у вторых влияние температуры сказывается не на числе носителей тока, а на их эффективной подвижности вне зоны проводимости. [13]

Зависимость коэффициента термоэдс от температуры в оксидных ферритах подобна этой зависимости у обычных полупроводников. [14]

Температурные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда приводят к тому, что у обычных полупроводников удельное сопротивление возрастает при подходе к О К. Однако в полупроводниках с большой концентрацией примесей при низких температурах наблюдается электропроводность в примесной зоне и удельное сопротивление имеет некоторое конечное значение. [15]

Страницы: 1 2 3