Обычный полупроводник

Cтраница 2

Д-1 Я понимания специфики поведения органических полупроводников и определения места этик соединений в ряду уже хорошо изученных обычных полупроводников и парамагнетиков кратко рассмотрим некоторые сведения об электрических и магнитных свойствах твердых тел. [16]

Для того чтобы яснее представить задачи создания полимеров с полупроводниковыми свойствами, приведем некоторые данные об обычных полупроводниках, сопоставляя их со структурными и химическими особенностями полимеров. [17]

У окислов переходных металлов электроны лишь частично заполняют Sd-оболочку, поэтому их следует рассматривать не как изоляторы или обычные полупроводники, а скорее как полуметаллические проводники. Однако, за исключением Fe: jO4, практически все окислы, в том случае если они имеют стехиометрический1) состав, близки к изоляторам. У магнетита РезО4 в подрешетке В присутствуют одновременно как Fe3, так и Fe2, вследствие чего обмен электронами совершается сравнительно легко. Поэтому этот феррит обнаруживает довольно высокую электропроводность, хотя последняя и не основана на обычном полупроводниковом механизме. При замещении же части или всех ионов Fe2 на ионы других двухвалентных металлов электропроводность феррита понижается. Это явление можно качественно объяснить тем, что для перехода электронов от иона такого двухвалентного металла к иону Fe3 требуется большая энергия. [18]

В связи с наличием спонтанной поляризации и фазового перехода в точке Кюри Сегнетополупроводники обладают рядом свойств, не присущих обычным полупроводникам. [19]

НУ в твердом и жидком. [20]

При высоких температурах пары металлов частично ионизованы. Их отличие от обычных полупроводников ограничивается тем, что вместо валентной зоны они обладают дискретными исходными уровнями атомных электронов, а ширина запретной зоны заменяется энергией ионизации. Наименьшей энергией ионизации в 3.87 эв обладают атомы цезия. При температуре в 2000 С или 2300 К степень ионизации составляет около 10-в, упругость насыщенного пара достигает сотен атмосфер. [21]

Поскольку обычно я0 п -, то дебаевская длина в примесных полупроводниках значительно меньше, чем в собственных. Как видим, в обычных полупроводниках поле проникает на ничтожную глубину порядка 0 1 мк и менее. [22]

При С 5 функция i / 2 ( Q 2 / 3.3 / 2 и система считается при этом сильно вырожденной. Как правило, сильное вырождение имеет место в металлах; у обычных полупроводников оно наступает исключительно редко. [23]

Получение и исследование физических свойств новых магнитных полупроводниковых материалов представляют несомненный интерес не только в физическом аспекте, но и для технического применения. Узкая зона проводимости в магнитных полупроводниках существенно изменяет положение носителей тока по сравнению с обычными полупроводниками с широкой зоной. Здесь энергия тепловой активации, затраченная для перескока носителей тока, сравнима с энергией их локализации. Таким образом, с переходом от оксидных ферритов-шпинелей к халькогенидным состояние носителей тока значительно меняется. [24]

Зависимость термоэдс а теллура в твердом и жидком состояниях. [25]

При температурах выше 550 С коэффициент Холла и термоэдс уже достигают значения, характерного для многих жидких металлов. Быстрое изменение электрических свойств жидкого теллура в интервале температур 450 - 550 С не соответствует поведению обычного полупроводника. [26]

По некоторым последним исследованиям [162, 163], проведенным на монокристаллах N10 и ТЮ2, Sd-электроны в этих окислах движутся не по локальным уровням, а в узкой зоне ( шириной около 0 05 зе), а рост электропроводности с температурой вызван увеличением числа носителей тока, а не ростом их подвижности. Если ввести эту поправку в зонную схему на рис. 19, последняя вообще не будет принципиально отличаться от зонной схемы обычных полупроводников. [27]

Это означает, что при абсолютном нуле температуры его валентная зона целиком заполнена. Но, поскольку в данном случае нет энергии активации и проводимость монокристаллов графита весьма анизотропна, трудно отнести графит к классу обычных полупроводников. [28]

Териограммы силикагелей.| Температурная зависимость. электропроводности силикагелей. [29]

К - 7) в то время как образец SiOa - 2K характеризуется более рыхлой текстурой. По-видимому, этим фактором можно объяснить различие в электропроводности этих образцов: более плотная упаковка сферолитов в силикагеле SiOa-KA вероятно является достаточно термостойкой и приводит к логарифмической зависимости электропроводности от обратной температуры, характерной для обычных полупроводников. Рыхлая текстура менее устойчива к воздействиям температуры и приводит к сложной зависимости электропроводности от температуры. [30]

Страницы: 1 2 3