Слаболегированный полупроводник
Cтраница 1
 |
Образование р-я-перехода. [1] |
Слаболегированные полупроводники используют для изготовления маломощных полупроводниковых диодов и транзисторов. В мощных и импульсных диодах, транзисторах и тиристорах применяют сильнолегированные полупроводники с малыми удельными сопротивлениями. [2]
В относительно чистых слаболегированных полупроводниках длина свободного пробега определяется столкновениями носителей с кристаллической решеткой. При рассеивании носителей на решетке длина свободного пробега с увеличением температуры уменьшается. Поэтому для того, чтобы при меньшей длине свободного пробега носитель приобрел энергию, достаточную для ионизации валентных связей, поля в переходе должны иметь большую величину. [3]
 |
Зависимость напряжения пробоя приповерхностной ОПЗ V от уровня легирования кремниевой подложки. [4] |
Это несоответствие авторы приписывают краевым эффектам: в слаболегированных полупроводниках область пространственного заряда характеризуется достаточно большими полями рассеяния у краев полевого электрода, так что пробой носит преимущественно поверхностный характер. [5]
Поверхностно-барьерные диоды изготовляют методом осаждения металла на очищенную поверхность слаболегированного полупроводника. Для металлического контакта чаще всего используют тонкую алюминиевую пленку толщиной не более 0 1 мкм, так как алюминий имеет малое поглощение ускоренных электронов и высокую электропроводность. При бомбардировке электронами генерируются рентгеновское излучение и быстрые вторичные электроны, которые могут образовать в слое окисла электронно-дырочные пары. Положительный заряд захватывается окисным слоем, увеличивая поле на поверхности полупроводник - диэлектрик. [6]
Использовать в качестве резистивного слоя высокоомную коллекторную область нецелесообразно, так как сопротивление слаболегированного полупроводника сильно зависит от температуры. [7]
Так как % F лежит относительно близко к середине запрещенной зоны, то это значит, что мы имеем дело с относительно слаболегированным полупроводником с относительно низкой концентрацией электронов. [8]
 |
Спектральная зависимость квантового выхода фотоэмиссии для сильнолегированного кремния и - и. - типов ( 631 1 эВ, х - 4эВ. L - n - тип, 2-р-тип. [9] |
Для полупроводников величина Y определяется рассеянием энергии фотоэлектронами при их движении к границе раздела. В случае слаболегированных полупроводников электронов проводимости мало и осн. Скорость рассеяния энергии фотоэлектронами и глубина, из к-рой они могут выйти в вакуум ( глубина выхода), зависят от величины х и от соотношения х и в - Если f e, то кинетич. В таком процессе фотоэлектроны рассеивают сразу значит, часть энергии и могут потерять возможность выйти в вакуум. [10]
В лавинных диодах обычно используют слаболегированные полупроводники. [11]
Этот вид электрического пробоя называют лавинным. Обычно он развивается в относительно широких p - n - переходах, которые образуются в слаболегированных полупроводниках. [12]
Концентрация свободных электронов в зоне проводимости может быть различной. В большинстве случаев используются слаболегированные полупроводники; электроны в этом случае заполняют незначительную часть уровней в зоне проводимости. Такое состояние называют невырожденным. [13]
 |
Специальные Конструкции транзисторов с управляющим р - п-пере. [14] |
Он содержит кольцевой р - n - переход, расположенный рядом с истоком. Конструкция тек-нетрона имеет следующую характерную особенность: р-я-пере-ход расположен преимущественно в области канала. Это достигается тем, что стержень канала выполнен из слаболегированного полупроводника, а область затвора подвергается сильному легированию акцепторной примесью. Затвор образуется следующим образом: средняя часть стержня электрически стравливается для уменьшения радиуса канала и в кольцевое углубление осаждается индий, образуя р-л-переход. [15]
Страницы: 1 2