Слаболегированный полупроводник

Cтраница 2

Большое значение имеет адсорбция поверхностью атомов и молекул различных газов и особенно влаги. Исследования показывают, что максимальная скорость поверхностной рекомбинации будет иметь место в том случае, если у поверхности уровень Ферми будет лежать посреди запрещенной зоны. Очевидно, что это будет зависеть одновременно и от состояния поверхности, и от степени легирования полупроводника. В слаболегированном полупроводнике уровень Ферми будет лежать близко к середине запрещенной зоны, поэтому небольшого искривления зон будет достаточно для того, чтобы вывести его у поверхности на середину. В сильнолегированных полупроводниках уровень Ферми лежит далеко от середины. [16]

Вольт-амперная стика р-л-перехода. [17]

Как видно, эта характеристика является существенно нелинейной. На участке 2 ЕваЕзал, запирающий слой отсутствует, ток определяется только сопротивлением полупроводника. На участке 3 запирающий слой препятствует движению основных носителей, небольшой ток определяется движением неосновных носителей заряда. Излом вольт-амперной характеристики в начале координат обусловлен различными масштабами тока и напряжения при прямом и обратном направлениях напряжения, приложенного к p - n - переходу. И наконец, на участке 4 происходит пробой р-п-пе-рехода и обратный ток быстро возрастает. Это связано с тем, что при движении через p - n - переход под действием электрического поля неосновные носители заряда приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов полупроводника. В переходе начинается лавинообразное размножение носителей заряда - электронов и дырок - что приводит к резкому увеличению обратного тока через p - n - переход при почти неизменном обратном напряжении. Этот вид электрического пробоя называют лавинным. Обычно он развивается в относительно широких p - n - переходах, которые образуются в слаболегированных полупроводниках. [18]

Страницы: 1 2