Узкозонный полупроводник

Cтраница 1

Узкозонные полупроводники InSb, InAs ( табл. 16.5) служат базой для изготовления фотодиодов с высокой чувствительностью в инфракрасном диапазоне. [1]

В узкозонных полупроводниках А3 В5 со структурой цинковой обманки дно зоны проводимости и вершина валентной зоны расположены в точке Г зоны Бриллюэна. [2]

В узкозонных полупроводниках с повышением температуры уровень Ферми может приблизиться дну зоны проводимости ( для соединений ЛШВУ и ЛпВ1ут5п tn dp ] настолько, что формулы (3.38) и (3.39) станут несправедливы, так как полупроводник будет вырожденным. Здесь за начало отсчета энергии принято дно зоны проводимости. [3]

Фоторезисторы на основе примесных и узкозонных полупроводников охлаждают до температуры 77 К. [4]

Такие соединения являются узкозонными полупроводниками с высокой подвижностью носителей заряда, для к-рых характерно к тому же увеличение тер. [5]

В полуметаллах и узкозонных полупроводниках изменение ширины запрещенной зоны, вызываемое магнитным полем, может быть сравнимо с шириной запрещенной зоны в отсутствие поля Поскольку эффективные массы сильно зависят от расстояния между зонами, они могут оказаться сильно зависящими от поля, что в. Кроме того, спиновое расщецление уровней Ландау становится сравнимым с расстоянием между уровнями. [6]

В случае обычного полуметалла или узкозонного полупроводника спаривание приводит только к перестройке зонной схемы, т.е. к переходу в фазу экситон-ного диэлектрика. Сверхпроводимость в экситонном диэлектрике в дейстиительностн невозможна в силу его локальной электронейтральности. Более того, наличие межзонных переходов спаривающихся квазичастиц снимает вырождение системы по фазе параметра порядка, что делает невозможной и сверхтекучесть. Однако если спариваются пространственно разделенные электроны и дырки, то туннельные процессы между спаренными квазичастицами могут быть пренебрежимо слабыми и система может переходить в экситонное сверхтекучее состояние. Сверхтекучее движение пар из пространственно разделенных электронов и дырок соответствует незатухающим токам, текущим в различных участках системы в противоположных направлениях. [7]

Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные ге-тероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Дп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев - 25 - 30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [8]

Приведенное выше рассуждения говорят против прямого использования узкозонных полупроводников и прежней структуре МДП - ЖК. [9]

Следует также заметить, что, если использовать узкозонные полупроводники, квантового режима можно достичь при еще меньших значениях магнитного поля. [10]

Ширина запрещенной зоны Е сродство к электрону х и порог фотоэмиссии / ь. [11]

Длинноволновая граница таких фотокатодов определяется шириной запрещенной зоны узкозонного полупроводника ( InGaAs), в котором происходит поглощение света. Сильное электрическое поле переводит фотоэлектроны из InGaAs в верхний слой InP и увеличивает их энергию до значения, превышающего уровень вакуума. Фотокатоды такого типа обладают чувствительностью в области А, до 1 7 мкм. В табл. 25.16, 25.17 и на рис. 25.14 - 25.26 приведены характеристики наиболее распространенных фотокатодов. [12]

Инжекция неосновных носителей заряда происходит всегда из широкозонного в узкозонный полупроводник. В гетеропереходах, образованных полупроводниками с одним типом электропроводности, выпрямление происходит без инжекции неосновных носителей заряда. [13]

Из табл. 8.4 видно, что эти соединения являются узкозонными полупроводниками. Халькогениды свинца используют для изготовления фоторезисторов в инфракрасной технике, инфракрасных лазеров, тензометров и термогенераторов, работающих в интервале температур от комнатной до 600 С. [14]

Теоретический расчет и данные эксперимента показывают, что в узкозонных полупроводниках межзонная излучательная рекомбинация и рекомбинация Оже почти одинаково существенны при высоких температурах, однако ударная рекомбинация Оже дает преобладающий вклад при дальнейшем повышении температуры. Излучательная и ударная рекомбинации возможны и при рекомбинации через примесные уровни. [15]

Страницы: 1 2 3 4