Узкозонный полупроводник
Cтраница 2
 |
Структура фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма при обратном напряжении ( б. [16] |
С уменьшением длины волны падающего на фотодиод света растет показатель поглощения узкозонного полупроводника. Глубина проникновения квантов в этот полупроводник уменьшается. Генерация неравновесных носителей происходит только вблизи гетероперехода. [17]
Наконец, новое усложнение теории возникло в связи с активным изучением узкозонных полупроводников, важных в инфракрасной технике. [18]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода при обратном напряжении и при освещении его квантами света с различной энергией ( Av Av. [19] |
С уменьшением длины волны падающего на фотодиод света растет показатель поглощения узкозонного полупроводника. Глубина проникновения квантов в этот полупроводник уменьшается. Генерация неравновесных носителей происходит только вблизи гетероперехода. [20]
Кроме рассмотренных специфических свойств гетеропереходов ( выпрямление с высоким коэффициентом инжекции в узкозонный полупроводник, выпрямление без инжекции неосновных носителей на гетеропереходе из полупроводников с одним типом электропроводности) для полупроводниковых приборов интересными и полезными оказываются различия спектров поглощения и показателей преломления света образующих гетеропереход полупроводников. [21]
В пленочных резистивных материалах на основе силицидов хрома и других соединений, являющихся узкозонными полупроводниками, возможен механизм такого типа с существенным повышением удельного сопротивления материала. Рассмотрим этот механизм на примере модели Миндена и Харады, предложенный для узкозонных полупроводников группы PbS [9]: [) А. [22]
Для сохранения спектрального диапазона чувствительности желательно, однако, использовать поглощение спета is узкозонном полупроводнике. Такая толщина всей гетероструктуры позволяет получить хорошее согласование импедансов ( фактически емкостей) со слоем жидкого кристалла. Тогда плотность тока термогенерации не превышала бы величину 101 [ см - с 1, а это означало бы, что заряд, создаваемый оптическим сигналом, сравнивается с термогенерируемым зарядом при временах накопления около 10 - 3 с, типичных одновременно и для отклика жидкого кристалла. [23]
В типичных солнечных элементах с гетеропереходом рекомбинационно-генерационный процесс, по-видимому, преобладает в обедненном слое узкозонного полупроводника из-за наличия высокого потенциального барьера, препятствующего инжекции неосновных носителей заряда в широкозонный материал. [25]
Для нестационарной спектроскопии многоатомных молекул, разработки методов получения неравновесных внутримолекулярных возбуждений, изучения физики узкозонных полупроводников принципиальное значение имеет создание источников мощных сверхкоротких импульсов дальнего ИК диапазона. [26]
Ток термогепераиии имел бы в этом случае относительно низкое значение: его величина пропорциональна толщине слоя узкозонного полупроводника. [27]
В отличие от задачи о р-канале в кремнии, где зонная структура также описывается сложным матричным гамильтонианом, в задаче о структуре подзон в узкозонных полупроводниках хорошо разработанных методов решения не имеется. Еще не установлено, как наличие поверхности или границы раздела сказывается на зонной структуре и какого вида граничные условия следует налагать на огибающую волновой функции. Изменение распределения зарядовой плотности при образовании инверсионного слоя не обязательно вызывается только избыточными электронами слоя. Важную роль может играть также деформация волновых функций валентных зон, которая в широкозонных полупроводниках обычно учитывается с помощью диэлектрической проницаемости хпп. Помимо таких фундаментальных вопросов существуют также чисто практические вычислительные трудности. Обычный вариационный принцип, пригодный для расчета - каналов в Si, здесь неприменим, поскольку в рассматриваемой системе энергетический спектр простирается до бесконечности как вверх, так и вниз. Но, несмотря на эти трудности, был предпринят целый ряд попыток рассчитать структуру подзон. [28]
 |
Структура фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма при обратном напряжении ( б. [29] |
Энергетическая диаграмма гетероперехода, смещенного в обратном направлении, показана на рис. 10.8. При освещении фотодиода с таким гетеропереходом со стороны широкозонного полупроводника квантами света с энергией hv ( A hv АЭ2) свет поглощается в узкозонном полупроводнике. Широкозонный полупроводник оказывается прозрачным для таких квантов света. Возникшие при этом неосновные носители заряда, проходя через гетеропереход, создают фототок. [30]
Страницы: 1 2 3 4