Получение - диод
Cтраница 1
Получение высших диодов представляет до сих пор определенные трудности. В связи с тем что в последние годы был разработан простой способ получения со-хлоркарбоновых кислот теломеризацией [75] этилена и четыреххлористого углерода с последующими превращениями, значительный интерес представляло исследование возможности превращения высших со-хлор-карбоновых кислот в соответствующие диолы. [1]
 |
Схема замещения четырехслойной транзисторной структуры.| Основные диодные включения интегрального транзистора.| Схематическое изображение диффузионного резистора ( а и его схема замещения ( б. [2] |
Для получения диодов с повышенными допустимыми обратными напряжениями можно использовать описанные схемы включения, поменяв местами эмиттер и коллектор. [3]
 |
Схема фотолитографического процесса при получении меза-транзистора. [4] |
Для получения диодов или транзисторов с улучшенными характеристиками часто употребляют пластинки с эпитаксиальным слоем, способы нанесения которых описаны в гл. Это резко снижает сопротивление перехода диода в прямом направлении или сопротивление тела коллектора транзистора. Что касается пробивного напряжения и емкости перехода, то они определяются сопротивлением эпитаксиальной пленки, которое достаточно высокое. [5]
Для получения диодов с квадратичной зависимостью тока от напряжения ( например, для целей квадратичного детектирования) желательно, чтобы электрофизические параметры материала р - и п - областей различались несущественно. [6]
Для получения диодов, транзисторов и других приборов электронной техники к чистым полупроводникам добавляют определенные примеси. В зависимости от вида примеси можно получить две разновидности полупроводников ( п - и р - типа), которые проводят электрический ток лучше чистых полупроводников. Электронная проводимость любого полупроводника n - типа основана на свободных электронах, т.е. она подобна проводимости металлов. Электронная проводимость любого полупроводника р-типа обусловлена наличием, так называемых дырок, которые можно рассматривать как фиктивные положительные частицы, поскольку они представляют собой места в кристаллической решетке, где отсутствуют валентные электроны. [7]
Для получения совершенных диодов требуются, конечно, травление и отжиг. [8]
 |
Основные характеристики некоторых элементарных полупроводников. [9] |
Кремний применяют для получения диодов, мощных выпрямителей, триодов, солнечных батарей, тензометров и других приборов. [10]
Кеннеди и Расе [94] сообщают и получении диодов на нелегированном теллуриде цинка. [11]
Наряду с этим в последнее время проводятся широкие исследования по получению пленочных диодов и триодов методом напыления в вакууме. Создание приборов этого типа позволит решить проблему изготовления пленочных интегральных схем на однотипном оборудовании, без разгерметизации вакуумного объема, что должно увеличить надежность и упростить задачу автоматизации процесса изготовления интегральных схем. [12]
 |
Примеры технических конструкций вентилей ( схематически. [13] |
В средней части рисунка ( г) поясняется так называемый сплавной способ получения диодов. При таком способе соответствующий металл наплавляется на кристаллическую шайбу, при этом часть кристалла растворяется в металле. При последующем охлаждении растворенный в металле кристаллический материал выделяется. [14]
Развитие кремниевых диодов направлено на создание диодов более надежных, работающих при более высоких напряжениях и на более высоких частотах при больших токах, на улучшение технологии с целью получения более однородных диодов с меньшими обратными токами. Кремниевые диоды непрерывно удешевляются. [15]
Страницы: 1 2