Cтраница 2
В каждом варианте включения параметры диодов разные. Первый вариант обеспечивает получение быстродействующих диодов, так как в этом случае накопление носителей заряда может происходить только в базовой области, которая очень тонкая, поэтому время восстановления обратного тока твос в этом варианте минимально. В других вариантах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе и твос большое. Вследствие этого первый вариант используют в логических ИМС, где необходимо высокое быстродействие. [16]
В каждом варианте включения параметры диодов разные. Первый вариант обеспечивает получение быстродействующих диодов, так как в этом случае накопление носителей заряда может происходить только в базовой области, которая очень тонкая, поэтому время восстановления обратного тока твос в этом варианте минимально. Вследствие этого первый вариант используют в логических ИМС, где необходимо высокое быстродействие. [17]
Диоды в полупроводниковых интегральных микросхемах изготовляют на основе тех же диффузионных ( эпитаксиальных) слоев и переходов, что и биполярные транзисторы. Поэтому на практике в качестве диодов принято использовать транзисторные структуры типа п-р - п, так как при создании микросхем транзисторы все равн необходимо формировать, а получение диодов таким путем значительно проще, чем если ( изготовлять специализированные диодные структуры. Это означает, что диоды и транзисторы формируются одновременно. Посколыку даоды изготовляют на одной пластине кремния вместе с другими элементами в едином технологическом процессе, возможности оптимизации их параметров ограничены. [18]
В настоящее время двухкомпонентные соединения класса ( сульфиды, селениды и теллуриды цинка, кадмия и ртути) находят все большее применение в различных областях науки и техники. Материалы, получаемые из этих соединений ( главным образом, из сульфидов и селенидов кадмия и цинка), обладают ценными полупроводниковыми и люминесцентными свойствами и используются в качестве сцинтиллято-ров, рентген - и у-датчиков, применяются для усиления ультразвука и изготовления пьезопреобразователей, а также для получения высококачественных диодов, триодов, фотосопротивлений и многих других целей. [19]
В настоящее время двухкомлонентные соединения класса ( сульфиды, селениды и теллуриды цинка, кадмия и ртути) находят все большее применение в различных областях науки и техники. Материалы, получаемые из этих соединений ( главным образом, из сульфидов, и селенидов кадмия и цинка), обладают ценными полупроводниковыми и люминесцентными свойстрами и используются в качестве сцинтиллято-ров, рентген - и у-д атчикоъ, применяются для усиления ультразвука и изготовления пьезопреобразователей, а также для получения высококачественных диодов, триодов, фотосопротивлений и многих других целей. [20]
Принса для получения диспергирующих и моющих веществ из формальдегида и высших олефинов, Л одер синтезировал 4-метил-л - диоксан конденсацией формальдегида с пропиленом [239-243], а У. Фитцкий, исходя их тех же исходных веществ, получил 1 3-бутандиол [244-247]; были осуществлены и другие синтезы на основе этой реакции. Наиболее интересной оказалась реакция формальдегида с низшими углеводородами с получением диодов и диоксанов. [21]
В последнее время стали доступны а, со-диолефины с С8 - С10, которые можно превратить в бифункциональные алюминийалкилы. Циглер не сообщает результатов подобных исследований. Однако в патентной литературе все же встречаются сообщения, посвященные этому вопросу. Так, запатентовано [12] получение диодов с 8 - 16 атомами углерода, исходя из бутадиена, этилена и алюминийалкила. Бутадиен взаимодействует с ( цзо - С4Н9) аА1Н при 90 - 100 С в течение 4ч с образованием трибутенилалюминия, который затем обрабатывался ( мзо - С4Н9) 3А1 и нагревался при 130 - 150 С до окончания выделения изобутилена. Получалось соединение, в котором тетра-метиленовые цепи связаны с двумя атомами алюминия. [22]
Например, в [41, 42] сообщалось об использовании точечного контакта металл: - InSb для детектирования излучения на длине волны HCN-лазера Х337 мкм. Для получения диодов из GaAs предпочтительным оказался материал с п-тнпом проводимости с контактными пружинками практически из любых материалов. [23]
Фирмой Интернэйшнл бизнес мэшинс построено экспериментальное арифметическое устройство, выполняющее операции по последовательному принципу над 16-значными двоичными числами. Двоичные знаки представляются импульсами, следующими друг за другом через интервалы 20 ммксек. Основными элементами в устройстве являются диоды и электронные лампы. Одной из необычных характеристик этого устройства является взаимная зависимость пространства и времени из-за чрезвычайно высоких скоростей работы. Кусок такого кабеля соответствующей длины используется в качестве линии задержки. Наибольшая трудность при разработке сверхбыстродействующих устройств заключается в получении диодов с достаточно малым временем переключения. Хотя кажется довольно очевидным, что можно разработать достаточно быстродействующие переключающие диоды, у электронных ламп предел увеличения скорости переключения, по-видимому, уже достигнут. Дальнейшая работа должна быть, очевидно, направлена на разработку полупроводниковых приборов с необходимыми скоростями переключения. [24]