Получение - карбид - кремний
Cтраница 1
Получение карбида кремния [123] осуществляется в плазмотроне с расходуемым анодом диаметром 9 5 мм. В качестве плазмообразующего газа применяется аргон. [1]
 |
Схема промышленного метода получения технического карбида кремния. [2] |
Для получения карбида кремния полупроводникового качества необходима высокая чистот-а синтезируемого материала и изготовление его в виде монокристаллов. Методы выращивания из расплавов в данном случае неприменимы ( SiC интенсивно возгоняется до достижения точки плавления при Т 2500 С), поэтому возможны методы выращивания из паровой фазы и из растворов. Было показано, что кристаллы SiC можно выращивать из его растворов в хроме, никеле и других металлах. Однако при этом кристаллы невоспроизводимы по свойствам и геометрии. [3]
Методы получения карбида кремния были различны: прямым синтезом из элементов, восстановлением кремнезема углеродом, кристаллизацией из расплавленного кремнистого чугуна, взаимодействием углерода с парами кремния. [4]
Одним из основных условий получения карбида кремния является определенное соотношение между концентрацией тетрахлорида кремния и бензола. При таком соотношении и наличии в реакционном объеме кислорода возможно образование зеленого карбида кремния. [5]
 |
Выход продуктов ( и % термического разложения ClljSiCI, [ 2Hi ].| Зависимость ДС реакций ( 1. ( 2 и ( 3 от температуры ( реакции в тексте. [6] |
Роль водорода в процессе получения карбида кремния при разложении паров CJl3SiCl3 исключительно важна, так как он, во-первых, является активным компонентом в промежуточных стадиях образования SiC и, no - вторых, резко снижает скорость пиролиза метана. [7]
Одним из перспективных методов получения поликристаллического карбида кремния кубической модификации является высокотемпературный синтез из газовой фазы. [8]
Одним из, основных условий получения карбида кремния является определенное соотношение между концентрацией тетрахлорида кремния и бензола. При таком соотношении и наличии в реакционном объеме кислорода возможно образование зеленого карбида кремния. [9]
В качестве примера приведем процесс получения карбида кремния разложением в паровой фазе метилтрихлорсилана. В работе [231] установлено, что термодинамически образование карбида кремния вероятно при температуре выше 700 С. С реакция разложения метилтрихлорсилана проходит с незначительным выходом карбида кремния, что обусловлено ее малой скоростью. Более того, было далее установлено [232], что разложение метилтрихлорсилана протекает одновременно по нескольким направлениям с различными скоростями, что и определяет в конечном итоге скорость суммарной реакции. [10]
В шихту вводят поваренную соль при получении карбида кремния зеленого для частичного удаления примесей, которые переносятся в зоны с температурой ниже 1723 К, а также для переноса тепла из внутренних зон печи к наружным. Внутренняя зона печи охлаждается и в ней создаются условия для кристаллизации карбида кремния зеленого. При отсутствии поваренной соли и более высоких температурах ( выше 2403 К) происходит образование карбида кремния черного. [11]
 |
Схема тигля для получения кристаллов a - SiC полупроводникового качества по методу Лели. / - графитовый тигель. 2 - исходная масса SiC. 3 - перекристаллизованный SiC. [12] |
Термодинамический расчет этой реакции показывает, что получение карбида кремния может иметь место только при температурах, превышающих 700 С. Однако образование SiC при температуре 1000 С столь незначительно, что процесс проводится при 1600 - 1700 С. Процесс осуществляют в герметичном кварцевом реакторе, внутри которого располагается графитовая пластинка, нагреваемая током до нужной температуры. В реактор подаются пары CH3SiCl3, используя в качестве газа-носителя чистый водород; молекулы CH3SiCl3 диссоциируют на нагретой поверхности, которая покрывается слоем мелких кристаллов B-SiC. Цвет полученных кристаллов изменяется в зависимости от температуры подложки, так как при этом изменяется соотношение компонентов, выделяющихся на подложке. [13]
 |
Диаграмма перераспределения соли NaCl по зонам печи при производстве карбида. [14] |
Поваренную соль применяют как добавку в шихту при получении карбида кремния зеленого, роль которой трактуется различно. [15]
Страницы: 1 2 3