Получение - карбид - кремний
Cтраница 2
O также возникает при определенных условиях в печи для получения карбида кремния. Она является промежуточным продуктом восстановления кремнезема при нагреве его с углем, карбидом кремния или кремнием. Когда отдельные части сердечника перегреваются, газы, развивающиеся в прилегающих, а потому особенно горячих зонах шихты, образуют пузыри, которые прорываются из печи, создавая миниатюрные факелы. Нередко стенки крате ов этих факелов состоят из коричневой стекловидной массы, имеющей химический состав, отвечающий приблизительно одноокиси кремния. Когда же газы конденсируются в печи или собираюгся в камерах, специально для этого устроенных и свободных от воздуха, одноокись кремния отлагается в форме мягкого матового коричневого порошка необыкновенной мелкости. [16]
Таким образом, как показал расчет модуля, выбранная реакционная шихта обеспечивает получение карбида кремния зеленого. [17]
При изучении вопросов, связанных с очисткой метилтри-хлорсилана - исходного продукта для получения полупроводникового карбида кремния [1] - от примеси фосфора, особый интерес представляет определение величины относительной летучести в системе метилтрихлорсилан-хлорокись фосфора и ее изменения с изменением состава смеси. [18]
Черный или зеленый цвет образцов SiC определяется различной степенью чистоты и различными условиями получения карбида кремния. [19]
В 1931 г. вступил в строй первый в стране цех плавки электрокорунда, в 1933 г. начали работать первые печи для получения карбида кремния. [20]
Все механические испытания требуют уточнения, однако их результаты не оставляют сомнения в том, что внимание производственников должно быть направлено не на получение карбида кремния того или иного цвета, а на создание определенной структуры. Таким образом, важнейшей становится проблема условий образования тех или иных типов карбида кремния. [21]
Все механические испытания требуют уточнения, однако их результаты не оставляют сомнения в том, что внимание производственников должно быть направлено не на получение карбида кремния того или иного цвета, а на создание определенной структуры. Таким образом, важнейшей становится проблема условии образования тех или иных типов карбида кремния. [22]
 |
Схема роста кристалла кремния по механизму пар-жидкость-кристалл. 1 - пар. 2 - капелька расплава Аи-Si. 3 - кремниевая подложка. 4 - кристалл кремния. [23] |
Промышленные методы производства усов других соединений ( нитридов кремния, алюминия, бора, оксидов алюминия) имеют много общего и аналогичны технологии получения карбидов кремния. [24]
Исследованиями Гельда [29, 43, 46], Кайнарского и Карякина [47], Марон и Микулинского [48] и других авторов показано большое значение газовой и жидкой фаз в процессах получения карбида кремния и карбида кальция. [25]
С помощью электронной микроскопии и дифракции, инфракрасной спектроскопии и металлографических методов исследованы изменения структуры пленок карбида кремния на кремнии в зависимости от режима наращивания пленок и их толщины, а также влияние пленок различной структуры и толщины на структуру монокристаллической подложки. Для получения карбида кремния использован метод термического разложения хлорсиланов в атмосфере аргона или водорода. [26]
В процессе получения карбида кремния основным источником расходуемого тепла является электрическая энергия. Электрический ток разогревает керн, и тепловой поток из внутренних зон печи распространяется во внешние зоны. [27]
 |
Зависимость скорости роста автоэпитак-сиальных пленок германия от состава паро-газовой. [28] |
Большое число работ посвящено технологии изготовления и различным применениям промышленного материала с неконтролируемыми физическими свойствами. Работы по получению карбида кремния полупроводниковой чистоты, исследованию его свойств и возможных современных применений начали развиваться около 10 лет тому назад. [29]
Карбид кремния образуется в результате химического соединения кремния и углерода. Исходными материалами для получения карбида кремния являются чистый кварцевый песок ( SiO2) и каменный уголь. Чтобы получить примесную электропроводность того или другого типа, в исходный состав ( шихту) вводят примеси: фосфор, сурьму, висмут или кальций, магний, алюминий и др. Реакция образования карбида кремния ведется при конечной температуре приблизительно 2000 С. [30]
Страницы: 1 2 3