Получение - омический контакт
Cтраница 1
Получение омического контакта на точно заданной области полупроводникового кристалла осуществляется следующим образом. На кристалле кремния создают окисную пленку путем нагревания кристалла в течение 15 мин при 1300 С в атмосфере водяных паров. Применяя маску из воска, стравливают окисный слой с заданной области кристалла. [1]
Для получения омических контактов производится пятая фотолитография, в результате которой в защитном окисном слое вскрываются окна под контакты. [2]
Процесс получения омических контактов сплавлением заключается в следующем. Тонкий слой металла, металлическую навеску или шарик, нанесенные на поверхность кристаллической пластины, нагревают до температуры, при которой они плавятся. При этом происходит растворение в них небольшого количества полупроводника. При охлаждении системы полупроводник с растворенными в нем атомами металла и легирующими примесями кристаллизуется. Важную роль в процессе сплавления играет смачиваемость полупроводника металлом. Для улучшения смачиваемости поверхность полупроводника очищают от примесей и оксидных слоев. Применяют флюсы для удаления остаточной поверхностной пленки. Чтобы при охлаждении от температуры сплавления до комнатной в области контакта полупроводник - металл не возникали большие остаточные напряжения, необходимо выбрать полупроводник и металл с близкими по значению термическими коэффициентами расширения. [3]
Показана возможность получения омического контакта путем вплавления олова через слой сульфида. [4]
Другим способом получения омического контакта является осаждение металла на предварительно шлифованную поверхность полупроводника. Шлифование вызывает сильное искажение кристаллической решетки в поверхностном слое полупроводника и появление в запрещенной зоне этого слоя большого числа локальных уровней, увеличивающих проводимость слоя и тем самым уменьшающих контактное сопротивление. Из-за высокой скорости рекомбинации в нарушенном слое носители, генерируемые контактом, практически полиостью рекомбинируют в этом слое. Поэтому контакт является почти неинжектирующим. [5]
Достоинством рассмотренного метода получения омических контактов является простота, однако качество тензодатчиков оказывается при этом весьма невысоким. [6]
Следует заметить, что получение омических контактов является задачей не менее важной, чем получение р-п переходов. Они используются для присоединения выводов из областей полупроводника. Для изготовления омических контактов часто используют свикцово-оловянистый припой, алюминий ( для кремния) или золото. Добавление к ним той или иной примеси позволяет получать контакты как с электронными, так и с дырочными полупроводниками. [7]
Методом электроосаждения пользуются для получения выпрямляющих и омических контактов на полупроводниках. Тернер и Бер-неман установили, что металлы с низкой работой выхода ( например, Zn, In, Pb, Sn) при электроосаждении на кремний n - типа дйют омический контакт, а на кремний р-типа - выпрямляющий. [8]
Методом электроосаждения пользуются для получения выпрямляющих и омических контактов на полупроводниках. Тернер и Бернеман установили, что металлы с низкой работой выхода ( например, Zn, In, Pb, Sn) при электроосаждении на кремний п-типа дают омический контакт, а на кремний р-типа - выпрямляющий. [9]
Одним из наиболее распространенных способов получения омических контактов является введение в металл примеси, которой легирован полупроводник. Так, в случае n - германия, легированного сурьмой, в качестве припоя часто используется олово, содержащее сурьму. Пр и приплавлении олова к германию в приконтактной области образуется тонкий рекристаллизационный слой вырожденного полупроводника, сильно обогащенного сурьмой. Этот слой обладает высокой проводимостью и по своим свойствам близок к металлу. Такой п - п контакт имеет низкое сопротивление и почти всегда линеен. Из-за низкой концентрации дырок в вырожденном слое контакт является практически неинжектирующим. [10]
 |
Схематическое изображение полупроводникового усилителя электронного потока на обратно смещенном р-п-пере. [11] |
На поверхность лицевой стороны р-п-перехода для получения омического контакта и большей равномерности электрического поля по сечению наносится тонкая металлическая пленка, прозрачная для электронов. Обедненный слой р-п-перехода должен находиться возможно ближе к поверхности. [12]
Из рис. 2.2 видно, что для получения омического контакта необходимо так подбирать металл, чтобы приконтактная область была обогащена основными носителями. [13]
При изготовлении некоторых триодов, в том числе триодов рассматриваемых двух типов, после получения омических контактов производится дальнейшая промежуточная обработка поверхности полупроводникового материала при помощи химического или электрохимического травления. [14]
Алюминий часто напыляют на кремниевые пластины в вакууме для последующей диффузии, а также для получения омических контактов. [15]
Страницы: 1 2 3