Получение - омический контакт
Cтраница 2
Принципы нанесения электрохимических покрытий хорошо освещены в литературе [12, 13], поэтому ниже рассмотрены лишь практические пути получения омических контактов на германии и кремнии. [16]
Установка ИЛУ-3 ( рис. 50) предназначена для ионного легирования ( ионной имплантации) полупроводниковых материалов в условиях высокого вакуума, и может применяться для получения омических контактов к ионно-легированным слоям полупроводниковых пластин, а также для нанесения тонких металлических пленок на металлические и диэлектрические подложки методом распыления различных материалов в вакууме. [17]
Что касается некоторых видов ионных полупроводников, то в этом случае отсутствует возможность выбора металла с достаточно малой ( или большой) работой выхода Фт для получения идеального омического контакта с полупроводником проводимости п - или р-типа. В этом случае можно выйти из положения, создавая квазиомические контакты на основе диодов с низким качеством барьера Шоттки, образующих потенциальные барьеры малой высоты, что обеспечивает протекание больших термоэмиссионных токов, либо имеющих небольшую толщину, при которой облегчается протекание процессов термоэлектронно-полевой эмиссии или прямого туннелирования носителей заряда. [19]
Алюминий является акцептором, поэтому контакт к областям р-ти-па всегда омический. Для получения омического контакта к области n - типа концентрация доноров в ней должна быть выше, чем алюминия. [20]
Помимо заготовки и обработки электродов, в случае точечного триода производится обработка поверхности германия. Как было отмечено выше, для получения омического контакта эту поверхность германия целесообразно покрыть слоем металла электрохимическим методом или путем испарения в вакууме. [21]
Этого можно достичь, если использовать такую конфигурацию эмиттера, при которой ток, растекаясь по радиусу внутри эмиттера от центра, создаст электрический потенциал, в результате которого периферийные области ( края) эмиттерного перехода окажутся под меньшим напряжением, чем центральная часть. Получение таких эмиттеров легко осуществляется методами элион-ной технологии, однако получение омических контактов малой площади в настоящее время является технически трудно осуществимой задачей. [22]
Можно считать, что проблема технического использования эффекта Холла еще только разрабатывается. Предстоит еще выбрать наилучшие полупроводниковые материалы для той или иной цели, разработать методы получения омических контактов, улучшить линейность, разработать методы усиления и регистрации показаний датчиков. Несомненно, что приборы, основанные на эффекте Холла, в том числе и ваттметры СВЧ, будут усовершенствованы и найдут более широкое применение. [23]
 |
Зонные диаграммы омического контакта. [24] |
Такие контакты в местах присоединения внешних выводов к полупроводниковому слою не образуют дополнительного, паразитного, перехода. Получение омических контактов является задачей не менее важной, чем получение рабочих р-п переходов. Как видим, эта структура состоит из двух переходов: п - п и т-п, где через т обозначен слой металла. Оба перехода не являются инжектирующими, как было показано в предыдущих разделах. Кроме того, они не обладают и вентильными свойствами. [25]
 |
Зонные диаграммы невыпрямляющих контактов металла с полупроводником. [26] |
Омические контакты осуществляют в местах присоединения внешних выводов к полупроводниковому слою. Такие контакты не образуют дополнительного ( паразитного) перехода. Получение омических контактов является задачей не менее важной, чем получение рабочих р-п переходов. Как видим, эта структура состоит из двух переходов: rf-n и т -, где через т обозначен слой металла. Оба перехода не являются инжектирующими, как было показано в предыдущих разделах. Кроме того, они не обладают и вентильными свойствами. Поэтому в целом структура п-п - т ведет себя почти как омическое сопротивление слоя п при любой полярности напряжения. Рассмотрим механизм прохождения токов. Пусть напряжение приложено минусом к слою п и плюсом к металлу. Тогда потенциалы слоев п и п повысятся, высота барьера п-г. Электроны из - слоя будут свободно переходить в - слой независимо от высоты барьера п-п, а понижение барьера п - т обеспечит переход электронов из п - слоя в / n - слой. Пусть теперь напряжение приложено плюсом к - слою. [27]
 |
Зависимость / от толщины пленки s для системы Jn-CdS - Аи в области 1 - U для тоех серий образцов. [28] |
Возникает также проблема подбора к диэлектрику подходящих контактов; электроды, которые являются омическими для электронов, обычно оказываются запирающими для дырок. Задача получения омических контактов к широкозонному диэлектрику, трудная даже для носителей одного типа, для двух типов носителей становится еще труднее. Действительно, мы не знаем никакого определенного доказательства двойной инжекции в тонких пленках широкозонных диэлектриков, рассматриваемых в этой главе. [29]
Квадратичный детектор, так же как и описанный выше линейный, может работать в диапазоне как низких, так и высоких частот. На частотах сантиметрового диапазона условие Hj J легко осуществляется внутри волновода. Существенное требование к датчику эдс Холла для квадратичного детектирования заключается в необходимости изготовления строго омических контактов холловских электродов с полупроводником. Трудности получения идеального омического контакта на ra - Ge, как уже указывалось, пока еще полностью не преодолены. [30]
Страницы: 1 2 3