Получение - кристалл
Cтраница 2
Для получения кристаллов бориславского церезина и церезина из бакинского петролатума, хорошо отделяющихся от масел, Попов и Агроскин [157] добавляли в растворы до 0 003 % асфальтенов. [16]
Для получения кристаллов из пара можно использовать любое органическое вещество, которое способно сублимироваться без заметного разложения. Для выращивания достаточно больших кристаллов более пригодны те вещества, которые имеют упругость паров при температуре выше точки плавления в пределах от 10 - 3 до 1 атм. [17]
 |
Кристаллы гемина. [18] |
Для получения кристаллов гемина из свежей крови можно пользоваться ледяной уксусной кислотой, так как свежая кровь содержит достаточно ионов хлора. Добавление галогеновых солей необходимо в случае судебномедицинского исследования кровяных пятен, которые могут содержать недостаточно хлористых солей. [19]
 |
Растворимость вещества при различных температурах. [20] |
Для получения кристаллов из насыщенных растворов лучше брать такие вещества, которые значительно изменяют растворимость с повышением температуры. [21]
 |
Диаграмма состояния системы. [22] |
Для получения кристаллов РЬТЮ3 Беляев и Нестерова рекомендуют исходить из смесей с большим избытком окиси свинца. [23]
Для получения кристаллов с низкой концентрацией дефектов нужно на протяжении всего процесса выращивания сохранять плоской границу раздела кристалл - расплав. Для этого необходимо, чтобы изотермы были практически перпендикулярными направлению роста, и требуется тщательный контроль тепловых потоков как вдоль тигля, так и в перпендикулярном направлении. Рид [44] проанализировал тепловые потоки в излучающих цилиндрах из Ge, СггОз и W применительно к выращиванию кристаллов этих материалов. [24]
Для получения кристаллов NaaWO4 - 2H2O в 20 % - ный раствор NaOH вносят избыток вольфрамовой кислоты и нагревают при перемешивании 4 часа, дают 2 - 3 дня стоять в теплом месте, изредка перемешивая. Раствор фильтруют через мелкопористую стеклянную фильтрующую воронку № 4 и упаривают до начала кристаллизации, охлаждают льдом, выпавшие кристаллы отфильтровывают с отсасыванием и высушивают между листами фильтровальной бумаги. [25]
Для получения кристаллов со средним размером 1 - 3 мм необходимо использовать конструкции кристаллизаторов, в которых рост кристаллов происходит во взвешенном слое. [26]
 |
Зависимость растворимости Р вещества от температуры Т. [27] |
Для получения кристаллов этим методом исходные компоненты выращиваемого кристалла растворяют в ннзкоплавкой солевой смеси до насыщения при температуре, превышающей температуру плавления чистой смеси. Раствор при этой температуре выдерживают в течение нескольких часов, а затем при введении затравочного кристалла ( либо без такового) медленно ( 0 5 - 1 5 С / ч) охлаждают, вследствие чего в расплаве создается пересыщение и происходит кристаллизация растворенных компонентов растущего кристалла. [28]
 |
Схема тигля для получения кристаллов a - SiC полупроводникового качества по методу Лели. / - графитовый тигель. 2 - исходная масса SiC. 3 - перекристаллизованный SiC. [29] |
Для получения кристаллов a - SiC достаточно больших размеров применяется метод возгонки. Давление паров над кристаллами SiC при 2500 С оценивается в 10 - 50 мм рт. ст. При этой температуре SiC диссоциирует на Si и С; кремний испаряется, а углерод остается в виде графита, внешняя форма которого подобна форме исходного кристалла. При 2750 С за 1 ч в атмосфере аргона полностью разлагается 100 г SiC и остается 5 - 10 г чистого графита. [30]
Страницы: 1 2 3 4