Cтраница 3
Возможно получение кристаллов со структурами, включающими кубич. [31]
![]() |
Схема вытягивания монокристаллов тугоплавкого металла методом Чохральского с применением электронно-лучевого нагрева. [32] |
Для получения кристаллов с незначительными внутренними напряжениями в работе [338] применен комбинированный метод. В его основе лежит использование способа Чохральского ( рис. 27), но вытягивание монокристаллов с затравкой производится не из расплава данного материала ( как это предусмотрено в способе Чохральского и не приемлемо для WC), а из раствора WC в расплаве вспомогательного металла. [33]
Для получения кристаллов наиболее употребительны растворы, содержащие два вещества - бинарные растворы. Одно из веществ называется растворителем, другое ( твердое перед растворением) - растворенным. [34]
Для получения равномерных кристаллов в суспензии необходимо, чтобы на выходе из кристаллогенератора зародыши кристаллов были предельной, коллоидной дисперсности критической концентрации. [35]
Для получения кристаллов рубина, обладающих большей твердостью, чем чистая А Од, исходят, по Вернелю [90], из совместно осажденных гидроокисей алюминия и хрома. Затем окислы в виде тонкого порошка равномерно обогревают пламенем водородно-кислородной горелки. При этом частички окислов плавятся и наконец собираются на растущем монокристалле. Полученные таким образом камни обладают известными своеобразными свойствами, благодаря которым они отличаются от естественных. [36]
После получения кристаллов воска путем снижения температуры до 8 - 12 С масло подогревается до температуры 20 С. Это делается для того, чтобы снизить 1вязкость масла и получить более крупные кристаллы восков. Масло при температуре 20 С с крупными кристаллами восков легче фильтруется или сепарируется. Масло, освобожденное от восков при охлаждении до 0 С, не выделяет мути и остается прозрачным. [37]
Опробовано получение кристаллов КТН методом флотации. [39]
Для получения высокоомных кристаллов в процессе роста из расплавов добавляются соответствующие акцепторные примеси. [40]
Для получения кристаллов W в качестве исходного продукта пользуются парами VCle; в качестве металлического зародыша служит вольфрамовая тонкая проволока, не имеющая упругого последействия. [41]
Для получения кристаллов LiF и NaBr для оптических целей согласно Штокбаргеру [140] применяется графитовый или платиновый тигель с коническим дном; печь, через которую опускается тигель, имеет два нагревателя, скорость роста кристаллов составляет примерно 1 мм / час. Очень важно, чтобы температурный градиент в зоне перехода от расплава к кристаллу был возможно большим и чтобы были устранены колебания температуры. [42]
Для получения кристаллов витамина Bi2 культуральную жидкость центрифугируют и выделяют содержащую витамин клеточную массу. Затем ее гидролизуют и очищают полученный раствор витамина. [43]
Для получения сравнительно изометрических кристаллов тех веществ, которые обычно растут уплощенными, в качестве кристаллоносца может быть использована пластина, в которой засвер-ливается несколько углублений в шахматном порядке. [44]
Для получения кристаллов высокого качества важное значение имеет постоянство тепловых условий в ходе выращивания. Изменения градиента температуры приводят к колебаниям мгновенной скорости роста, поскольку фронт кристаллизации стремится к совпадению с изотермой, соответствующей температуре плавления. Поэтому необходимо обеспечивать предельно точное регулирование температуры. Аналогичные изменения условий происходят и при снижении уровня расплава в тигле и при изменении диаметра и длины кристалла. [45]