Получение - совершенный кристалл
Cтраница 1
 |
В. Виды точечных дефектов кристаллической решетки. [1] |
Получение совершенных кристаллов в виде нитей ( усов) со свойствами, близкими к теоретически рассчитанным, доказали, что дефекты кристаллической решетки ослабляют металл. [2]
Для получения совершенных кристаллов необходимо очень тщательно регулировать температуру расплава и вытягиваемого кристалла. Грань растущего кристалла, находящаяся в контакте с расплавом, должна быть плоской; необходимо избегать механических вибраций - Метод зонной плавки идеально пригоден для производства монокристаллов. [3]
Для получения совершенных кристаллов полупроводниковых соединений в последнее время широкое распространение получает метод выращивания из раствора-расплава. Этот метод удобен тем, что позволяет выращивать кристаллы при температурах значительно ниже температуры плавления чистого соединения. Кроме того, можно получать кристаллы с высоким уровнем легирования, когда легирующей добавкой является сам растворитель. [4]
Естественно, что получение достаточно больших и совершенных кристаллов даже для хорошо кристаллизующихся полимеров задача не простая, но те возможности структурно-динамического анализа, которые сейчас имеются и в дальнейшем будут совершенствоваться, безусловно, оправдают усилия по совершенствованию методов кристаллизации. [5]
Оптимальные тепловые градиенты в рабочей зоне печи, обеспечивающие получение совершенных кристаллов, как показывает расчет на электрической модели, составляют 2 - 3 град / см. При этом разность между средним значением температуры горизонтально ориентированного кристалла, расположенного в средней части тигля, и температурой подложки, на которой он растет, составляет величину порядка 3 град. [6]
 |
Зависимость интенсивности. [7] |
Кроме того, многие примеси, в особенности малорастворимые, препятствуют получению достаточно совершенных кристаллов. [8]
При проведении процесса синтеза ZnO это обстоятельство может приводить к появлению большого количества центров кристаллизации, что препятствует получению крупных и совершенных кристаллов цинкита. Один из возможных путей понижения пересыщения состоит в добавлении к исходной газовой смеси рассчитанного количества хлористого водорода, что, естественно, повлечет за собой соответствующее снижение выхода окиси цинка. [9]
Гидротермальное выращивание малорастворимых веществ проводят в автоклавах при высоких темп - pax и давлениях. Для получения совершенных кристаллов из раствора необходимо, чтобы подвод вещества к растущей поверхности не лимитировал скорости роста. Важны очистка сырья, стабилизация Г и а, создание гидродинамич. [11]
Степень совершенствования кристаллической структуры в значительной мере определяется условиями направленной кристаллизации. На этом основано использование направленной кристаллизации для получения совершенных кристаллов. [12]
В данном разделе будет рассмотрена взаимосвязь между различными физическими свойствами синтетических кристаллов кварца и условиями роста. Определенные различия в условиях роста кварца в природе и при искусственном выращивании в различных средах накладывают отпечаток и на структурно-чувствительные физические характеристики кварца как кристаллического материала. Успехи в области получения совершенных кристаллов, ставшие возможными на базе знания реальной структуры кварца в связи с условиями роста, определили широкое применение синтетических кристаллов, практически полностью заменивших природные как в радиоэлектронике, так и в оптическом приборостроении и в качестве сырья для ювелирной промышленности. [13]
Найденные по этим формулам величины t для металлов при 77 К составляют величины порядка 1 - 20 - 10 - 14 с, v - 107 см / с, а Л - 1 - 10 А. Последние величины представлялись во времена Друде достаточно разумными. Однако после развития способов получения особо совершенных кристаллов при достаточно низких температурах удалось достичь столь низких значений р, которые указывали на длины свободного пробега порядка 1 см. Столь большие значения, конечно, невозможно объяснить просто отсутствием соударений с ионами. [14]
Наиболее дефектными являются монокристаллы, выросшие вблизи поверхности раствора-расплава в статическом режиме. Применение отрицательного температурного перепада благоприятствует образованию кристаллов на дне и стенках тигля вблизи дна. Перемешивание раствора-расплава также способствует получению более совершенных кристаллов. К аналогичным результатам приводит и снижение скорости роста кристаллов. Установлено, что наименее дефектными являются мелкие кристаллы с огранением НО, которые вырастают при малом пересыщении. Однако обеспечение такого пересыщения на протяжении всего процесса роста весьма затруднено, так как при спонтанной кристаллизации неизвестным остается число зарождающихся кристаллов. [15]
Страницы: 1 2