Получение - окисная пленка
Cтраница 1
Получение окисных пленок из растворов хлоридов элементов подгруппы титана осложняется их высокой кислотностью и трудностью осаждения соответствующих гидроокисей из кислых растворов. Образование пленок возможно лишь на подогретой до 40 - 45 С и предварительно обработанной раствором КОН поверхности стеклянной детали. Удаление спирта и кислоты осуществляется лишь при нагревании деталей. В этом случае, даже при очень быстрой последовательности подачи раствора и прогрева деталей нередки случаи образования неоднородной и рассеивающей мутной пленки. Для уменьшения кислотности раствора наиболее удобно вводить металлический натрий или калий, растворенные в абсолютном этиловом спирте. [1]
Получение окисных пленок достигается двумя способами: химическим и электрохимическим. [2]
Поэтому получение окисных пленок химическим путем ограничено; они применяются только в случаях, когда невозможно применить электролитический способ оксидирования, например, при оксидировании деталей сложной конфигурации, внутренней поверхности длинных тонких труб, а также в случаях, когда рассеивающая способность электролита недостаточна, а установка дополнительных катодов невозможна. [3]
Практически получение окисных пленок на поверхности кремния с целью уменьшения отражения инфракрасного излучения ограничивается областью с А - СЗ-4 мкм, вследствие трудности получения равномерных пленок толщиной 1 мкм. Разработке метода пассивирования поверхности полупроводниковых приборов из кремния и германия уделяется в настоящее время большое внимание. Появление большого числа публикаций за сравнительно короткий промежуток времени свидетельствует о проведении разносторонних систематических исследований. В них говорится о значительных трудностях выполнения задач, направленных на стабилизацию свойств полупроводниковых приборов. [4]
Для получения окисных пленок с высокими электроизоляционными свойствами применяют щавелевокислые электролиты. Такие электролиты могут работать на постоянном и переменном токе. Пробивное напряжение при соответствующей толщине пленки достигает 500 в и выше. Электролит, работающий на постоянном токе, содержит 50 - 70 г / л щавелевой кислоты. [5]
Для получения окисных пленок необходимы три условия: определенная подверженность анода коррозии; возможность образования в слое тонких капилляров, обеспечивающих рост слоя, и слабая растворимость образующегося покровного слоя в электролите. Необходимо следить за температурой электролита, регулируя процесс так, чтобы образование окисного слоя происходило быстрее растворения. [6]
Для получения окисных пленок с высокими электроизоляционными свойствами применяют щавелевокислые электролиты. Такие электролиты могут работать на постоянном и переменном токе. Пробивное напряжение при соответствующей толщине пленки достигает 500 в и выше. Электролит, работающий на постоянном токе, содержит 50 - 70 г / л щавелевой кислоты. [7]
 |
Фигуры травления для основных кристаллографических плоскостей кристаллов с кубической элементарной ячейкой. [8] |
Для получения окисных пленок высокого качества часто используют неводные растворители. [9]
 |
Схема получения пленок SiO2 окислением кремния. [10] |
Процесс получения окисных пленок на поверхности изделий из Кислород кремния состоит из следующих операций. [11]
 |
Объемный участок интегральной микросхемы с завершенными технологическими операциями. [12] |
Окисление - получение окисной пленки SiOj на поверхности участка кристалла осуществляется воздействием перегретого насыщенного кислородом водяного пара на участки кристалла при температуре около 1000 С. [13]
При химических методах получения окисных пленок с повышением температуры происходит как более полное разложение пленкообразующих соединений, так и более полная дегидратация. При подогреве поверхности обрабатываемой детали до 40 - 50 С заметно повышается прочность пленок. [14]
 |
Схеца установки для окисления металлов в плазме высокочастотного разряда. [15] |
Страницы: 1 2 3