Слабые поля

Cтраница 1

Слабые поля не могут изменить, очевидно, и концентрацию носителей заряда. Поэтому именно в этих полях и будет выполняться закон Ома. [1]

Слабые поля - поля, по порядку величины значительно меньшие внутриатомных, а сильные поля - поля, близкие к внутриатомным. [2]

Рассмотрим слабые поля: Б2 1, при этом неравенство должно удовлетворяться для всех типов носителей заряда, и прежде всего для носителей заряда с максимальной подвижностью. [3]

Рассмотрим слабые поля: iaB2Cl, при этом неравенство должно удовлетворяться для всех типов носителей заряда, и прежде всего для носителей заряда с максимальной подвижностью. [4]

Для слабых полей можно показать, что получается линейная связь между невзаимным фазовым сдвигом и намагниченностью феррита. Характер зависимости (7.105) от положения ферритовой пластины ( рис. 7.8, б) объясняется структурой поля в волноводе. [5]

Область слабых полей определяется неравенством ФЛ Тс. Слабое поле не влияет на картину флуктуации. [6]

Для слабых полей Я - Якрит. [7]

Для слабых полей bh является константой, которая называется подвижностью. Если известны подвижности всех компонент газа, то легко вычислить его проводимость. [8]

В области слабых полей кривые ( см. рис. 7.1, б) не характеризуют суммарных потерь, так как они определяются явлениями, не учитывающимися в исходных уравнениях. [9]

В области слабых полей ( Яс Ят Ягр) линеаризация характеристик не всегда возможна. [10]

Рассмотрим случай слабых полей и малых градиентов температуры. В этом случае изменения функции распределения будут незначительны, и квадратичными и смешанными относительно возмущений членами в / можно пренебречь. [11]

В случае слабых полей спин-орбитальное взаимодействие не нарушено, и квантовые числа L и S сохраняют сной обычный смысл. [12]

В области слабых полей коэффициенты 0 45 и 0 74 несколько изменяются в зависимости от напряженности поля и сорта материала. [13]

При наличии слабых полей туннели-рование может происходить лишь при очень малых толщинах пленки, обычно меньших 3 нм. Подобные пленки очень трудно получить без механических дефектов-микропор, являющихся основной причиной коротких замыканий. Поэтому в микроэлектронике в основном используются диэлектрические пленки толщиной свыше 50 нм, в которых процессы туннелирования практически отсутствуют в слабых полях. [14]

Диаграмма различных процес.| Диаграмма различных процессов проводимости в тонкопленочном диэлектрике в слабых полях. [15]

Страницы: 1 2 3 4