Слабые поля

Cтраница 2

При наличии слабых полей туннелирование может происходить непосредственно между электродами, при условии, что слой диэлектрика достаточно тонок. Однако такие тон кие сплошные пленки реализовать трудно, поэтому обычно изучаются процессы, происходящие в пленках толщиной более 500 А. [16]

В области слабых полей ( участок 2) магнитная проницаемость резко возрастает и проходит через максимум. [17]

Расщепление й-уровней в октаэдрическом кристаллическом поле. [18]

В комплексах слабых полей заполнение электронами орбиталей eg и / 2g происходит последовательно, в соответствии с рис. 13.3; в этом случае А достаточно мало для того, чтобы можно было применять правило Гунда. [19]

Зависимость дрейфовой скорости носителей заряда в кремнии от напряженности электрического поля при 300 К.| Значения эмпирических постоянных в зависимости для кремния при 300 К. [20]

В области слабых полей подвижность от поля не зависит. [21]

В области слабых полей формулы (7.27) дают правильные величины вещественных составляющих, если использовать значения Мо не для намагниченности насыщения, а для намагниченности, соответствующей прикладываемому внешнему полю. [22]

В области весьма слабых полей дифференциальная магнитная проницаемость совпадает с начальной проницаемостью. [23]

Различные типы процессов намагничивания ферромагнетика ( схематически. [24]

В случае очень слабых полей эти смещения границ обратимы и точно следуют за изменением поля. [25]

Различные типы процес - гт. [26]

В случае очень слабых полей эти смещения границ обратимы и. Начальная восприимчивость ферромагнетиков и область / кривой намагничивания ( рис. 250, е) обусловлена процессами обратимого смещения границ. [27]

В дальнейшем метод слабых полей был видоизменен и получил название м етод а нулевых мо м ентов. Этот метод основан на том, что проекция М магнитного момента атома на направление магнитного поля может принимать нулевые значения. Следовательно, в молекулярном пучке есть не отклоненные полем компоненты, Раби [6] предложил не измерять число компонент в пучке, а следить за появлением компоненты с нулевой проекцией при изменении напряженности магнитного поля. При этом методе используется весь молекулярный пучок, а не его часть, поэтому здесь нет надобности осуществлять монохроматизацию частиц по скоростям. Интенсивность исследуемого пучка в этом методе значительно больше, чем в методе слабых полей. В методе нулевых моментов измеряют зависимость интенсивности неотклоненного пучка от напряженности магнитного поля. [28]

Химические сдвиги и константы спин-спинового взаимодействия диборана и алкилдиборанов [ 5, 17, 23а, 236, 23в ]. [29]

Сдвиги в сторону слабых полей положительны, в соответствии с новыми требованиями, принятыми IUPAC ЩЕЬогоп-3 ( см. гл. [30]

Страницы: 1 2 3 4