Полярность - внешнее напряжение
Cтраница 1
Полярность внешних напряжений ( С / э0 и UK0) соответствует транзистору типа прп. На рис. 1.10 представлены его входная и выходная ВАХ для включения с общей базой. Эквивалентная Г - образная схема для такого транзистора описывается при помощи следующих параметров: а А / к / Л / э t / K. [1]
 |
Вольт-амперная характеристика тиристора при различных усилиях, прикладываемых к игле. [2] |
Полярность внешнего напряжения выбирают такой, чтобы смещение на переходе Шоттки между молибденовым контактом и базой было обратным. С увеличением давления на электрод увеличивается ток эмиттера. [3]
Такая полярность внешнего напряжения называется прямой. С увеличением внешнего напряжения ширина р-я-перехода уменьшается. [4]
При полярности внешнего напряжения, противоположной указанной на рис. 5.24, все оно падает на эмиттерных переходах П и Я3, так как они смещены в обратном направлении. [5]
 |
Схематическое ( а и символич. ( б изображения полупроводникового триода. [6] |
Когда полярность внешнего напряжения меняется, то р - пг к р % - я. [7]
 |
Встречное включение двух р-п - р - / i-структур ( а и конструкция их аналога - пятислойной п-р-п-р - п-структуры ( б.| Конструкция фототиристора. [8] |
При одной полярности внешнего напряжения работает одна половина структуры, при противоположной-другая, и вольт-амперная характеристика имеет симметричный вид. [9]
Если изменить полярность внешнего напряжения ( подключить к / 7-области отрицательный полюс источника), то при его повышении высота потенциального барьера в / 7-и-переходе возрастает, а диффузионный ток основных носителей заряда падает. Уже при U як - 0 5 В диффузионный ток прекращается и при дальнейшем повышении внешнего напряжения через р-л-переход будет проходить только дрейфовый ток неосновных носителей, который называется обратным, или тепловым током электронно-дырочного перехода. Так как число неосновных носителей значительно меньше, чем основных, величина тока через, переход в этом случае будет небольшой по сравнению с током при прямом включении и практически постоянной при изменении U в широких пределах. [10]
Если изменить полярность внешнего напряжения ( подключить к р-области отрицательный полюс источника), то высота потенциального барьера в р - / г-переходе возрастает, а диффузионный ток основных носителей заряда падает. В диффузионный ток прекращается, и при дальнейшем повышении внешнего напряжения через р-п-переход будет проходить только дрейфовый ток неосновных носителей, который называют обратным. Так как число неосновных носителей значительно меньше, чем основных, ток через переход будет небольшим по сравнению с током при прямом включении и практически постоянным при изменении U в широких пределах. [11]
 |
Энергетическая диаграмма МДП-структуры без внешнего напряжения ( а и с внешним напряжением ( б, в. [12] |
При смене полярности внешнего напряжения в полупроводнике индуцируется положительный заряд ( рис. 4.8 в), образуемый в результате оттеснения электронов от поверхности в глубь полупроводника. Электрическое поле теперь направлено в противоположную сторону, следовательно, потенциальная энергия электронов у поверхности увеличивается и края зон загибаются вверх. Так как положение уровня Ферми не изменяется, то при изгибе зон вниз он приближается к дну зоны проводимости у поверхности, что соответствует увеличению концентрации электронов, а при изгибе зон вверх уровень Ферми удаляется от дна зоны проводимости, что соответствует уменьшению концентрации электронов у поверхности. [13]
 |
Структура симметричного тиристора ( а и его вольт-амперная характеристика ( б. [14] |
При перемене полярности внешнего напряжения четвертый р - / г-перех 9д окажется включенным в обратном направлении и, обладая при этом большим сопротивлением, будет целиком зашунти-рован относительно малым сопротивлением области pz - Следовательно, при изменении полярности внешнего напряжения рабочая часть тиристора представляет собой структуру n - p - n - р, способную переключаться из закрытого состояния в открытое и обратно. [15]
Страницы: 1 2 3 4