Полярность - внешнее напряжение
Cтраница 3
Для выключения тиристора необходимо уменьшить прямой ток 1Л до значения, не превышающего ток удержания / уд ( точка с на рис. 3.30 6), или подать на тиристор напряжение обратной полярности. При изменении полярности внешнего напряжения переходы / 7t и Я3 смещаются в обратном направлении, а переход П2 остается прямо смещенным. [31]
Они обладают нелинейностью волыамперной хар-ки и используются для выпрямления переменных сигналов. Пропускное направление соответствует такой полярности внешнего напряжения, когда внутр. [32]
При перемене полярности внешнего напряжения четвертый р-п-переход окажется смещенным в обратном направлении и, обладая поэтому большим сопротивлением, будет зашунтирован относительно малым сопротивлением области рг. Следовательно, при такой полярности внешнего напряжения рабочая часть тиристора представляет собой структуру п-р-п-р, способную переключаться из закрытого состояния в открытое и обратно. [33]
 |
Структура симметричного тиристора ( а и его ВАХ ( б. [34] |
При перемене полярности внешнего напряжения четвертый р-л-переход окажется смещенным в обратном направлении и, обладая поэтому большим сопротивлением, будет зашунтирован относительно малым сопротивлением области ру. Следовательно, при такой полярности внешнего напряжения рабочая часть тиристора представляет собой структуру п-р-п-р, способную переключаться из закрытого состояния в открытое и обратно. [35]
Если работа выхода электронов из широкозонного полупроводника меньше, чем из узкозонного, то энергетическая диаграмма П - 2-гетероперехода может быть представлена в виде рис. 2.6. При подаче напряжения на гетеропереход, например положительного на я2, а отрицательного на Ярполупроводник, электроны из / ii-полупроводника смогут переходить в я2 - полупроводник. Через гетеропереход протекает ток, и такую полярность внешнего напряжения можно назвать прямой. [36]
 |
Изменение концентрации носителей заряда в объеме полупроводника у контакта. [37] |
Такой контакт отличается от р - - перехода тем, что в нем отсутствует область, обедненная носителями заряда. Поэтому сопротивление - - контакта при обеих полярностях внешнего напряжения мало меняется. [38]
 |
Схемы включения транзистора. [39] |
Работа транзистора п-р-п-тнпа происходит аналогично работе транзистора р-п-р-типа. В этом случае носителями тока являются электроны и полярность внешних напряжений меняется на обратную. [40]
При приложении к р-п переходу внешнего напряжения U практически все оно падает на ОПЗ, так как ОПЗ обеднена носителями заряда и имеет высокое по сравнению с другими областями электрическое сопротивление. Если полярность напряжения U такова, что создаваемое им электрическое поле совпадает по направлению с внутренним электрическим полем контактной разности потенциалов, то высота потенциального барьера повысится и разность потенциалов будет равняться сумме Uj и обратного напряжения. Этому случаю соответствует такая полярность внешнего напряжения, при которой положительный полюс источника напряжения подключен к л-области, а минус - к р-области. Такое включение р-п перехода в электрическую цепь называют обратным. [41]
 |
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. [42] |
Если к p - n - структуре приложить внешнее напряжение плюсом на - область и минусом на р-область, то высота потенциального барьера увеличится ( рис. 10.6, д) и ток через p - n - переход, если не учитывать генерацию свободных носителей заряда в нем, будет определяться током неосновных носителей, величина которого не зависит от высоты потенциального барьера. Ток, протекающий через р-и-переход при указанной полярности внешнего напряжения, называют обратным током. При внешнем напряжении, равном U, с учетом того, что практически все напряжение падает на обедненном слое, количество основных носителей заряда, которые могут преодолеть потенциальный барьер, увеличится в exp ( eU / kT) раз. [43]
Ток, протекающий через p - n - переход при указанной полярности внешнего напряжения, называют обратным током. При внешнем напряжении, равном U, с учетом того, что практически все напряжение падает на обедненном слое, количество основных носителей заряда, которые могут преодолеть потенциальный барьер, увеличится в е ( илг) раз. [44]
Если на такой тиристор подать напряжение плюсом на область п и минусом на область п3, то р-п-переход / окажется включенным в обратном направлении и ток через него будет пренебрежимо мал. Четвертый р-я-переход будет включен в прямом направлении и при достаточном значении напряжения через него будет происходить инжекция электронов. Значит, при выбранной полярности внешнего напряжения рабочая часть тиристора представляет собой структуру р - n - p - n, в которой могут происходить те же процессы, что и в обычном двухэлектродном тиристоре, приводящие к переключению его из закрытого состояния в открытое и обратно. [45]
Страницы: 1 2 3 4