Cтраница 4
Необходимая энергия составляет лишь половину энергии связи полярона. Действительно, энергия W затрагивается лишь тогда, когда деформация решетки около узла, занятого электроном, полностью исчезает. [46]
Этим образным замечанием Яков Ильич предвосхитил теорию поляронов, развивавшуюся с 1946 г. В разговоре со мной при обсуждении механизмов тепловой ионизации молекул Яков Ильич сказал: Мне кажется, что молекула при энергичном столкновении с другой молекулой может стряхнуть с себя электрон. [47]
В соответствии с перескоковым механизмом для движения локализованного полярона малого радиуса необходима некоторая отличная от нуля энергия активации. [48]
Термическая ширина запрещенной зоны меньше на удвоенную энергию полярона, которую можно принять равной - 0 2 эв ( см. разд. Предполагается, что уровни Vzn более или менее похожи на подобные уровни в сульфиде цинка. Поскольку InZn создает аналогичный уровень [129], то предполагается, что уровень VQ находится в том же положении; в этом пункте мы расходимся с Богнером, высказывавшим мнение, что этот уровень следует отождествить с уровнем, наблюдавшимся при - 0 5 эв ниже дна зоны проводимости. Мы считаем, что указанная величина соответствует второму уровню междоузельного цинка. Данные по оптическому поглощению [130-132] и люминесценции [133] восстановленной окиси цинка можно объяснить, исходя из предположения, что второй уровень VQ лежит значительно глубже. [49]
Цифры 1 и 2 указывают на парциальные вклады поляронов в искажение решетки ( см. также задание на стр. [50]
Отмеченная выше аналогия в поведении ионных дефектов и поляронов малого радиуса при прыжковом механизме миграции отнюдь не случайна, несмотря на различную природу носителей тока. Эта аналогия при высоких температурах обусловлена чертой, общей для обоих типов проводников, - термической активацией носителей тока, подчиняющейся статистике Больцмана. Однако при низких температурах поляроны малого радиуса проявляют черту, совершенно не свойственную ионным дефектам и отражающую волновые свойства электронов - способность их туннелировать сквозь решетку без затрат энергии активации. Такая черта, как было описано выше, совершенно естественна в приближении широких зон, когда поляроны обладают свойствами квазисвободных частиц. Между тем оказывается, что и в случае узких зон может существовать такая область промежуточных температур, в которой зонная теория уже не применима, но наряду с прыжковым механизмом существует конечная вероятность электрона протуннелировать сквозь потенциальный барьер, разделяющий локализованные состояния. [51]
Следовательно, решающую роль в электропроводности таких кристаллов играют поляроны. [52]
Модель электропроводности, обусловленная некоррелированными прыжками локализованных электронов или поляронов между эквивалентными ионными узлами, справедлива лишь при наличии тепловой активации процессов подвижности. Это указывает на температурную независимость подвижности. [53]
Авогадро, пр и vp - концентрация и подвижность полярона, ям и им - те же величины, но для электрона проводимости жидкого металла, га0 - концентрация атомов металла в растворе. [54]