Cтраница 2
Большое внимание при монтаже аппаратуры следует обращать на обеспечение помехоустойчивости микросхем. Однако в линиях связи и логических цепях, составленных из ряда работающих друг на друга микросхем, могут возникать импульсные помехи. Допустимая импульсная помеха зависит от ее длительности. Из графика зависимости I / no ( Типом) для микросхемы типа 155ЛАЗ ( рис. 2.13) видно, что при длительности импульса 15 не допустимое значение импульсной положительной помехи может достигать 2 В. Импульсная помехоустойчивость практически зависит не от напряжения питания, а от числа нагрузок КРаз и коэффициента объединения по ИЛИ Коб. [16]
Переключение инвертора DUI приводит к появлению импульса напряжения Ш на выходе DXU разностной длительностью Д и t - Тп / 4 ( рис. У. В первый момент ток через стабилитрон и напряжение на нижнем входе микросхемы DXU снижаются практически до нуля, чем обеспечивается временное запоминание импульса разностной длительности. Переключение DU4 к DU5 обеспечивает появление дискретного выходного сигнала ивых к Еп. После перезаряда конденсатора С2 до напряжения, при котором напряжение на нижнем входе DXU восстанавливается до большего ( Бл / 2), запоминание импульса U прекращается. Диод VD3 закрывается, и начинается разряд конденсатора СЗ ( через входное сопротивление инвертора DU4 и резистор R3) с постоянной времени, обеспечивающей задержку ( 3 l fl его переключения в исходное состояние ( отпускание) на время, достаточное для поступления очередного импульса, чем обеспечивается потенциальность выходного сигнала Увых. Он обеспечивает импульсную помехоустойчивость ЭС, предотвращая возможное неправильное ( ложное) формирование выходного дискретного потенциального сигнала под воздействием случайной импульсной помехи. [17]